公开(公告)号：CN101083218A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200610012078.0

申请日：2006-06-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  张跃宗 ,  孙静莹 ,  张弓长 ,  王承栋

IPC: H01L21/66 ,  G01R27/00 ,  G01R31/26

Abstract: 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离互不相等，测量方法包括在电极和辅助电极间加考核电流一段时间，断开考核电流，测量相邻电极之间的总电阻及间距，用传输线法作图并计算欧姆接触的电阻率。使用本发明的芯片和测量方法，能避免考核电流对半导体材料的损伤，准确评估欧姆接触退化程度的方法。

公开(公告)号：CN100505200C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610012078.0

申请日：2006-06-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  张跃宗 ,  孙静莹 ,  张弓长 ,  王承栋

IPC: H01L21/66 ,  G01R27/00 ,  G01R31/26

Abstract: 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相邻电极之间的距离互不相等，测量方法包括在电极和辅助电极间加考核电流一段时间，断开考核电流，测量相邻电极之间的总电阻及间距，用传输线法作图并计算欧姆接触的电阻率。使用本发明的芯片和测量方法，能避免考核电流对半导体材料的损伤，准确评估欧姆接触退化程度的方法。