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公开(公告)号：CN116528631A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310303286.X
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法，属于探测器技术领域。其步骤为：1)器件采用平面结构，电极为底电极；2)通过在钙钛矿前驱体溶液中添加PEAI或GuCl等抑制离子迁移的添加剂；3)在图形化电极阵列上旋涂钙钛矿来制备钙钛矿薄膜4)通过预先制备的图形化底电极对钙钛矿薄膜施加偏压，使其内部离子进行定向移动形成局部掺杂，在阵列各个单元器件中形成PN结；4)通过偏压极化后，阵列中各单元器件已形成光电二极管可在0V偏压下进行工作。
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