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公开(公告)号：CN101935883B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010279377.7
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了超高真空离子源晶片清洗系统，包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆，两真空室由隔离阀门相连接，进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗，离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源，磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室，并且装有具有贴合功能的可移动的基片台，磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室，离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下，通过低能氢离子源对晶片的清洗，在常温或略微加温下进行晶片冷焊接，使多片键合成晶体块，获得低损耗的倍频晶体。
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公开(公告)号：CN101935883A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010279377.7
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了超高真空离子源晶片清洗系统，包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆，两真空室由隔离阀门相连接，进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗，离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源，磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室，并且装有具有贴合功能的可移动的基片台，磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室，离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下，通过低能氢离子源对晶片的清洗，在常温或略微加温下进行晶片冷焊接，使多片键合成晶体块，获得低损耗的倍频晶体。
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公开(公告)号：CN201826017U
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201020527492.7
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本本实用新型公开了超高真空离子源晶片清洗系统，包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆，两真空室由隔离阀门相连接，进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗，离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源，磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室，并且装有具有贴合功能的可移动的基片台，磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室，离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下，通过低能氢离子源对晶片的清洗，在常温或略微加温下进行晶片冷焊接，使多片键合成晶体块，获得低损耗的倍频晶体。
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