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公开(公告)号:CN101935883A
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN201010279377.7
申请日:2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了超高真空离子源晶片清洗系统,包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆,两真空室由隔离阀门相连接,进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗,离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源,磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室,并且装有具有贴合功能的可移动的基片台,磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室,离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下,通过低能氢离子源对晶片的清洗,在常温或略微加温下进行晶片冷焊接,使多片键合成晶体块,获得低损耗的倍频晶体。
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公开(公告)号:CN101935883B
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201010279377.7
申请日:2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了超高真空离子源晶片清洗系统,包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆,两真空室由隔离阀门相连接,进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗,离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源,磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室,并且装有具有贴合功能的可移动的基片台,磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室,离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下,通过低能氢离子源对晶片的清洗,在常温或略微加温下进行晶片冷焊接,使多片键合成晶体块,获得低损耗的倍频晶体。
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公开(公告)号:CN102299474A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110186529.3
申请日:2011-07-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S3/23
Abstract: 本发明涉及一种多棒串接固体激光器激光晶体棒的精确对准方法,属于大功率固体激光器技术领域。本发明提供了一种脉冲或者连续激光器中多个晶体棒的串接方法。根据多棒串接谐振腔的腔长L,腔内晶体棒个数N,相邻晶体棒的间距d,晶体棒直径φ,晶体棒的平均热焦距f,通过谐振腔传输矩阵变换的方法,计算晶体棒的角度对准精度范围。利用准直的可见的指示光辅助调节,通过控制晶体棒的透射光和反射光的位置,使晶体棒达到计算的精度范围,实现晶体棒的精确对准。本发明所提供的晶体棒精确对准方法具有方法简单有效,对准精度高的特点。
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公开(公告)号:CN102299469A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110207779.0
申请日:2011-07-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种通过控制泵浦光特性实现亚纳秒调Q输出的激光器,属于全固态激光技术领域。它包含了沿光的传播方向依次设置的泵浦源,光纤耦合装置,后腔镜,激光增益介质,电光调Q元件,耦合输出镜,其中后腔镜、激光增益介质、电光调Q元件和耦合输出镜组成谐振腔。所述的泵浦源为半导体激光器,输出π向偏振的泵浦光。所述谐振腔长度小于30mm。所述激光增益介质为具有线偏振吸收特性的Nd:YVO4晶体,所述激光增益介质的输出端面沿a轴切割成布儒斯特角,所述激光增益介质的泵浦端通光面镀膜作为后腔镜。本激光器具有结构简单紧凑、易于模块化生产、输出脉冲稳定性高等优点。
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公开(公告)号:CN102299474B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN201110186529.3
申请日:2011-07-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S3/23
Abstract: 本发明涉及一种多棒串接固体激光器激光晶体棒的精确对准方法,属于大功率固体激光器技术领域。本发明提供了一种脉冲或者连续激光器中多个晶体棒的串接方法。根据多棒串接谐振腔的腔长L,腔内晶体棒个数N,相邻晶体棒的间距d,晶体棒直径晶体棒的平均热焦距f,通过谐振腔传输矩阵变换的方法,计算晶体棒的角度对准精度范围。利用准直的可见的指示光辅助调节,通过控制晶体棒的透射光和反射光的位置,使晶体棒达到计算的精度范围,实现晶体棒的精确对准。本发明所提供的晶体棒精确对准方法具有方法简单有效,对准精度高的特点。
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公开(公告)号:CN201826017U
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN201020527492.7
申请日:2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本本实用新型公开了超高真空离子源晶片清洗系统,包括进样真空室、离子束真空室和磁力传送杆,两真空室由隔离阀门相连接,进样真空室上设有进样阀门、真空泵和观察玻璃窗,离子束真空室上设有观察玻璃窗、真空泵、红外烘烤灯和氢离子源,磁力传送杆贯穿进样真空室和离子束真空室,并且装有具有贴合功能的可移动的基片台,磁力传送杆可将基片台从进样真空室传送至离子束真空室,离子源可垂直对基片台上的晶片进行清洗。本系统在超高真空环境下,通过低能氢离子源对晶片的清洗,在常温或略微加温下进行晶片冷焊接,使多片键合成晶体块,获得低损耗的倍频晶体。
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