公开(公告)号：CN112891741B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202110058500.0

申请日：2021-01-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘旭 ,  杨天勤 ,  吴祖亚 ,  王征 ,  李炬哲

IPC: A61N1/36

Abstract: 本发明提出并实现了一种用于神经刺激和记录系统的伪波抑制器，以抑制在刺激过程中产生的严重影响记录质量的伪波。本伪波抑制器具有一个三电极结构，通过电极之间连接的电阻以及可调节的灌电流产生器来达到参考电压的互补状态，使得因刺激电压波动过大而产生的伪波可以在记录点得到消除。本伪波抑制器主要具有两个优点：一是可以实时抑制伪波、低成本；二是无空白时间，适合多通道应用。

公开(公告)号：CN112891741A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110058500.0

申请日：2021-01-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘旭 ,  杨天勤 ,  吴祖亚 ,  王征 ,  李炬哲

IPC: A61N1/36

Abstract: 本发明提出并实现了一种用于神经刺激和记录系统的伪波抑制器，以抑制在刺激过程中产生的严重影响记录质量的伪波。本伪波抑制器具有一个三电极结构，通过电极之间连接的电阻以及可调节的灌电流产生器来达到参考电压的互补状态，使得因刺激电压波动过大而产生的伪波可以在记录点得到消除。本伪波抑制器主要具有两个优点：一是可以实时抑制伪波、低成本；二是无空白时间，适合多通道应用。

公开(公告)号：CN108563277B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201810597747.8

申请日：2018-06-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘旭 ,  吴祖亚 ,  王文思 ,  侯立刚

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS的指数波形电流产生电路，通过对一组PMOS(P型金属氧化物半导体)或NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管的栅极施加特定的电压，使晶体管工作在饱和区，从而令这组晶体管的漏极输出电流之和随时间呈现出近似指数变化的波形。使用这种方法得到的指数波形电流产生电路与传统的基于单个工作在亚阈值状态下的晶体管的指数波形电流产生电路相比，具有更强的驱动能力，并且产生更精确的指数波形输出电流。指数波形的时间常数可由电路中的电容、栅极预设电压、与栅极连接的电流源的大小数值、以及晶体管阈值电压来确定。这种指数波形电流产生电路成本低，精度高，驱动能力强。

公开(公告)号：CN108563277A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810597747.8

申请日：2018-06-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘旭 ,  吴祖亚 ,  王文思 ,  侯立刚

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS的指数波形电流产生电路，通过对一组PMOS(P型金属氧化物半导体)或NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管的栅极施加特定的电压，使晶体管工作在饱和区，从而令这组晶体管的漏极输出电流之和随时间呈现出近似指数变化的波形。使用这种方法得到的指数波形电流产生电路与传统的基于单个工作在亚阈值状态下的晶体管的指数波形电流产生电路相比，具有更强的驱动能力，并且产生更精确的指数波形输出电流。指数波形的时间常数可由电路中的电容、栅极预设电压、与栅极连接的电流源的大小数值、以及晶体管阈值电压来确定。这种指数波形电流产生电路成本低，精度高，驱动能力强。