公开(公告)号：CN1219917C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03157527.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 臧竞存 ,  邹玉林 ,  单秉锐

IPC: C30B15/00 ,  H01S3/16

Abstract: 一种两端无掺杂激光棒的单晶生长工艺属于单晶生长技术领域，涉及两端无掺杂激光棒的制备工艺。本发明提供的工艺包括以下步骤：常规加工好激光棒；将激光棒从顶部放入与激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需长度的无掺杂单晶；倒转激光棒重复上述过程，即可制得两端无掺杂的单晶激光棒。本发明解决了激光棒端面不能冷却问题，使激光工作介质达到全方位冷却，提高了冷却效果；由于直接生长两端无掺杂激光棒，在激光棒掺杂部分与无掺杂部分之间无任何接缝，避免了粘接法产生的各种缺陷，改善了激光光束质量，提高了效率，能有效延长激光晶体的使用寿命，增大了激光的平均输出功率和激光脉冲重复频率。

公开(公告)号：CN1492083A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03157527.7

申请日：2003-09-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 臧竞存 ,  邹玉林 ,  单秉锐

IPC: C30B9/00 ,  H01S3/16

Abstract: 一种两端无掺杂激光棒的单晶生长工艺属于单晶生长技术领域，涉及两端无掺杂激光棒的制备工艺。本发明提供的工艺包括以下步骤：常规加工好激光棒；将激光棒从顶部放入与激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需长度的无掺杂单晶；倒转激光棒重复上述过程，即可制得两端无掺杂的单晶激光棒。本发明解决了激光棒端面不能冷却问题，使激光工作介质达到全方位冷却，提高了冷却效果；由于直接生长两端无掺杂激光棒，在激光棒掺杂部分与无掺杂部分之间无任何接缝，避免了粘接法产生的各种缺陷，改善了激光光束质量，提高了效率，能有效延长激光晶体的使用寿命，增大了激光的平均输出功率和激光脉冲重复频率。