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公开(公告)号：CN101434395B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810239386.6
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 一种多元稀土硼化物(CexBa1-x)B6多晶块体材料及其制备方法属于稀土硼化物材料技术领域。多元稀土硼化物具有很高的研究及应用价值，但目前的研究很少，且制备工艺复杂。本发明材料的组成为(CexBa1-x)B6，0.2≤x≤0.8。本发明采用直流电弧蒸发法分别制得CeH2和BaH2纳米粉末后，与原料B粉末在保护气氛中混合，采用放电等离子烧结技术，在压力30～60MPa，升温速率120～160℃/min，烧结温度1400～1600℃，保温5～15min条件下，制备多元稀土硼化物(CexBa1-x)B6块体材料。本发明所提供的方法烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的(CexBa1-x)B6高纯、致密。
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公开(公告)号：CN101983920A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010554604.2
申请日：2010-11-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明公开了DyB6多晶块体阴极材料的制备方法，属于稀土硼化物阴极材料技术领域。本发明通过蒸发冷凝法制备氢化镝粉末，将硼粉和氢化镝粉末装入石墨模具中，加压压实后放入SPS烧结炉中烧结，施加30-60MPa的压力，气氛为真空度高于5Pa的真空，以100-200℃/min的升温速度升温，烧结温度为1250-1500℃，保温时间为1-10min，随炉冷到室温，即可得到DyB6多晶块体。本发明方法降低了烧结温度和烧结成本，提高了DyB6阴极的力学性能和发射性能，克服了现有的DyB6阴极材料的制备技术存在烧结温度高、制备成本高、工艺复杂等问题。
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公开(公告)号：CN101434394B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810239385.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 多元稀土硼化物(LaxBa1-x)B6阴极材料及其制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物的研究很少，且制备工艺复杂。本发明阴极材料的组成为(LaxBa1-x)B6，0.3≤x≤0.7。本发明采用直流电弧蒸发法分别制得LaH2和BaH2纳米粉末后，与原料B粉末在低氧环境下混合，采用放电等离子烧结，在压力30～60MPa，升温速率90～150℃/min，烧结温度1350～1650℃，保温5～15min条件下，制备多元稀土硼化物(LaxBa1-x)B6阴极材料。本发明所提供的方法烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的阴极材料单相、高纯、致密。
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公开(公告)号：CN102808215A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210222711.4
申请日：2012-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物单晶的研究很少，且制备出的单晶体尺寸小、纯度低，无法满足实际应用的要求。本发明采用放电等离子烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法制备高质量、大尺寸的多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体。以CeB6、PrB6粉末为原料制备出的(Ce0.9Pr0.1)B6单晶为φ4.5mm×40mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象。
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公开(公告)号：CN102433587A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110278253.1
申请日：2011-09-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 多元大尺寸稀土硼化物LaxCe1-xB6单晶块体阴极材料的制备方法属于稀土硼化物热阴极和冷阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物单晶体的研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，尺寸小，很难实际应用。本发明阴极材料的组成为LaxCe1-xB6，0.2≤x≤0.6。本发明采用放电等离子烧结发法，在高真空环境下制得LaxCe1-xB6多晶棒，再将制备的多晶棒放入光学区熔炉中进行熔炼。在晶体生长过中，为了有效抑制La和Ce元素的挥发和氧化，向石英管内通入高纯流动氩气，气体流速为1-2L/min，气体压强为0.5-0.7MPa。为了使熔区更加均匀，将仔晶和料棒反向旋转，转速为30-40rpm，生长速度为7-10mm/h。本发明方法制备出的单晶体尺寸大、纯度高，质量好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101508572A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910080721.7
申请日：2009-03-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30－60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90－180℃/min的升温速度升温至1350－1650℃，保温时间0－10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。
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公开(公告)号：CN102433587B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110278253.1
申请日：2011-09-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 多元大尺寸稀土硼化物LaxCe1-xB6单晶块体阴极材料的制备方法属于稀土硼化物热阴极和冷阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物单晶体的研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，尺寸小，很难实际应用。本发明阴极材料的组成为LaxCe1-xB6，0.2≤x≤0.6。本发明采用放电等离子烧结发法，在高真空环境下制得LaxCe1-xB6多晶棒，再将制备的多晶棒放入光学区熔炉中进行熔炼。在晶体生长过中，为了有效抑制La和Ce元素的挥发和氧化，向石英管内通入高纯流动氩气，气体流速为1-2L/min，气体压强为0.5-0.7MPa。为了使熔区更加均匀，将仔晶和料棒反向旋转，转速为30-40rpm，生长速度为7-10mm/h。本发明方法制备出的单晶体尺寸大、纯度高，质量好。
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公开(公告)号：CN102515769A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110376850.8
申请日：2011-11-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C30B29/10 , C30B28/02
Abstract: 一种多元稀土硼化物(CexPr1-x)B6阴极材料及其制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物的研究很少，且制备工艺复杂。本发明阴极材料的组成为(CexPr1-x)B6，0.2≤x≤0.8。本发明采用直流电弧蒸发法分别制得CeH2和PrH2纳米粉末后，与原料B粉末在低氧环境下混合，采用放电等离子烧结，压力50～60MPa，升温速率100～150℃/min，烧结温度1450℃，保温5min，制得(CexPr1-x)B6。本发明方法烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的阴极材料单相、致密高、电流发射密度高。
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公开(公告)号：CN101508572B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910080721.7
申请日：2009-03-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B35/04 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30-60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90-180℃/min的升温速度升温至1350-1650℃，保温时间0-10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。
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公开(公告)号：CN101575211A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910086811.7
申请日：2009-06-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种(SmxBa1－x)B6多晶块体阴极及其制备方法属于稀土硼化物材料技术领域。本发明所提供的阴极材料的化学组成为(SmxBa1－x)B6，0.2≤x≤1。本发明首先采用直流电弧蒸发法分别制备SmH2和BaH2纳米粉末，再与原料B粉末按配比混均，采用放电等离子反应液相烧结，压力为40～70MPa，升温速率为90～150℃/min，烧结温度为1300～1500℃，保温5～15min，制得单相、致密的(SmxBa1－x)B6。本发明方法烧结温度低、时间短，工艺简单。
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