公开(公告)号：CN115016154A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210401293.9

申请日：2022-04-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王云新 ,  于硕 ,  王大勇 ,  杨登才 ,  向美华 ,  王卓 ,  杨锋

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02B6/125

Abstract: 本发明涉及一种基于铌酸锂薄膜的偏振滤波型强度调制器，调制器集成在同一芯片上，具有滤波和强度调制的功能。包括光波导、强度控制中心电极和强度控制地电极。光波导由光波导层制成，本发明对光波导层进行了改进，改进之处在于在光波导层中的铌酸锂层上面采用沉积氮化硅形成氮化硅加载条层；光波导从功能结构上划分为Y波导分束器和Y分支合束器，Y波导分束器前端直波导上增加滤波金属银覆层构成具有偏振滤波功能的光波导，经过滤波后的光波由Y波导分束器等分为平行两路波导，强度控制中心电极置于平行两路波导之间，平行两路波导外侧各设置一个强度控制地电极，强度控制中心电极和强度控制地电极构成幅度控制器电极，用于强度调制；两路光经过强度调制后，由Y分支合束器进行合束输出。

公开(公告)号：CN114740642A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210401224.8

申请日：2022-04-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王大勇 ,  于硕 ,  王云新 ,  杨登才 ,  向美华 ,  王卓 ,  杨锋

IPC: G02F1/035

Abstract: 本发明公开了一种基于单晶铌酸锂薄膜的偏振滤波型相位调制器，可应用于光通信、光计算、微波光子技术等，属于集成光学领域。本发明器件结构主要是铌酸锂薄膜(LNOI)上沉积氮化硅构成加载条型直波导、直波导上前端做金属银覆层构成具有偏振滤波功能的波导结构，以及在波导后端两侧设置相位控制电极结构。本发明的结构设计可同时实现偏振滤波和相位调制，使整个结构更为紧凑、高效，更有利于实现光路集成。