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公开(公告)号：CN113050404B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110332144.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院 , 北京大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN109884493A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910259948.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 北京大学深圳研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种适用于隧穿双栅场效应晶体管(T-FinFET)的特征漏电压提取方法，包括：选择三点不同漏-源电压Vds，将栅-源电压Vgs从+0.5伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的转移电流特性曲线Ids-Vgs，确定器件正常工作；选择三点不同Vgs，将Vds从0伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的输出电流特性曲线Ids-Vds；在线性区内选二点连接为直线，获取对应直线在漏电压轴上的截距，从而得到不同栅电压下T-FinFET的线性区和指数区的交叉转折点电压，得到输出电导特性曲线Gout-Vds，再在线性区内选二点连接为直线，从而提取不同栅电压下T-FinFET的线性区和饱和区的交叉转折点电压。这种方法实现简单，在低Vgs和Vds下对器件结构和工艺不敏感，能抑制小尺寸器件引起的短沟效应和超薄体效应。
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公开(公告)号：CN107371201A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710653890.X
申请日：2017-08-02
Applicant: 北京大学深圳研究院
CPC classification number: H04W36/0083 , H04W36/08 , H04W36/32
Abstract: 本发明涉及一种智能交通网中的盲切换控制方法。该智能交通网中的盲切换控制方法，包括：(1)车载导航系统上报车辆移动路线；(2)生成车辆待切换目标小区数据库及切换触发地点数据库；(3)车载导航GPS系统和移动网联合确定车辆及移动台的位置；(4)根据切换触发地点数据库，判定车辆是否到达切换触发地点，若车辆未到达小区边缘，则返回步骤(3)，继续探测车辆位置，等待车辆到达触发地点，若车辆到达触发地点M，则系统立即触发切换，开始选择切换目标小区；(5)根据车辆待切换目标小区数据库，选择切换目标小区；(6)切换完成后，返回步骤(3)，重新确定车辆位置，等待车辆到达下一个切换触发地点，以此递推，车辆被不断地切换到新的目标小区。
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公开(公告)号：CN103606562B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310395509.6
申请日：2013-09-03
Applicant: 北京大学深圳研究院
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管，所述晶体管结构自下而上依次含有一衬底层；一部分氧化层，其中左半部分为硅窗口，右半部分为埋氧层；一硅膜层以及一器件顶层。本发明公开的具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管可以在埋氧层中引入更高的电场强度，从而提高器件的击穿电压；通过N型硅埋层提供的更多的电子，增强晶体管的电流驱动能力，并可以降低器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN106102108A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610683206.8
申请日：2016-08-18
Applicant: 北京大学深圳研究院
CPC classification number: H04W36/0077 , H04W36/08
Abstract: 本发明涉及一种高速铁路列车无线接入网的智能切换方法，属于无线通信领域。本发明基于高速铁路列车的移动特征，建立了高速铁路列车待切换目标小区数据库和切换触发地点数据库；当压力传感器和移动网感知到列车到达切换触发地点时，系统自动从切换目标小区数据库中提取对应的目标小区，进而完成切换。与现有的传统用户端UE辅助切换不同，本发明无需用户端测量，而是由系统智能地独立完成切换，大幅降低了总的切换时延，极大地提高了切换成功率和无线接入的服务质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105405900A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510724289.6
申请日：2015-10-29
Applicant: 北京大学深圳研究院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/073 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521 , H01L31/073 , H01L31/02167 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉太阳能电池，在衬底表面沉积有氧化钛薄膜缓冲层。本发明的碲化镉太阳能电池含有的致密的氧化钛(TiO2)薄膜作为缓冲层解决了分流的问题并且提高了碲化镉/硫化镉光伏器件的良率和可重复性，有效提高硫化镉/碲化镉太阳能电池器件性能。本发明还公开了一种碲化镉太阳能电池的制备方法，通过化学浴沉积(CBD)和电化学沉积(ED)获得硫化镉和碲化镉，在没有任何背接触电阻优化条件下，通过FTO/CdS/CdTe/Au结构获得6.1％转化效率。
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公开(公告)号：CN114383739B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210058065.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度激光波长测量装置及方法，包括工作台，所述工作台顶部中心安装有原子气室，且工作台中心两侧安装有磁场系统，工作台顶部一侧固定连接有温控系统，且工作台顶部中心两侧对称安装有第一固定杆和第二固定杆，本发明引入原子气室作为法拉第原子滤光器来进行激光测量，通过调节的磁场的大小，改变原子在磁场的能级分裂值，从而改变原子跃迁频率，继而改变滤光器的滤过频率，即通过滤光器的频率可调，在知道特定条件下的滤光器的滤过频率的情况下，通过该滤光器的激光频率同样对比得出，有利于测量不同频率的激光，同时该种设备方法的测量精度高，波长精度可达0.001nm，并且本发明的设备简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN113050404A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110332144.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院 , 北京大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN111707870A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010585876.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压-电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻RS和栅漏串联电阻RD及其变化，从而理解和分析GaN HEMT器件大电流情形导致的电流崩塌效应，热效应和沟道表面损伤产生的栅源-栅漏表面态特征，这些参数和信息有助优化GaN HEMT的器件及电路设计和改善工作条件。
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公开(公告)号：CN104077453A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410321664.8
申请日：2014-07-07
Applicant: 北京大学深圳研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于历史信息的半导体纳米器件快速仿真方法，进行迭代运算时包括：记录保存输入输出信息组成输入矢量空间和输出矢量空间其中：Vin表示输入电压，Vout表示输出电压，i是当前迭代次数，M是自然数；利用线性方程x＝A-1b求取加权系数其中：A为M×M维的矩阵，Anm＝(di-di-n,di-di-m)，b和x都是M×1维矢量，m、n都是1至M的自然数，余量计算第i+1次迭代输入这种仿真方法大大减少了迭代次数，加快了收敛速度。
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