公开(公告)号：CN100390901C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200610011766.5

申请日：2006-04-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 康晋锋 ,  李惟芬 ,  刘晓彦 ,  杜刚 ,  韩汝琦 ,  王新安

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该方法在对选中单元进行编程操作的过程中，对非选中单元的字线、位线和源线都施加禁止编程电压，使实现单管单元阵列结构可加的编程电压的范围进一步增大，从而获得更大的存储窗口，对铁电材料本身来说也更容易实现。

公开(公告)号：CN1848293A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610011766.5

申请日：2006-04-21

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 康晋锋 ,  李惟芬 ,  刘晓彦 ,  杜刚 ,  韩汝琦 ,  王新安

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该方法在对选中单元进行编程操作的过程中，对非选中单元的字线、位线和源线都施加禁止编程电压，使实现单管单元阵列结构可加的编程电压的范围进一步增大，从而获得更大的存储窗口，对铁电材料本身来说也更容易实现。