公开(公告)号：CN105790761B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201610100414.0

申请日：2016-02-24

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 盖伟新 ,  黄继超

IPC: H03L7/099

Abstract: 本发明涉及一种用于高频全数字锁相环的高精度数字控制振荡器，包括电感、电容阵列以及差分耦合对管，所述电容阵列包括粗调电容阵列和精调电容阵列，所述精调电容阵列包括若干高精度电容单元，所述高精度电容单元包括三个MOM电容和两个NMOS管，其中第三MOM电容分别与第一MOM电容和第二MOM电容的一端相连接，第一MOM电容和第二MOM电容的另一端分别与差分时钟输出连接，两个NMOS管的漏极分别接在第三MOM电容两端，两个NMOS管的栅极短接且连接控制字，两个NMOS管的源极短接且接地。本发明能够达到比工艺库中最小电容更小的最小有效电容值变化的设计要求，相比传统的数字控制振荡器具有明显的优势。

公开(公告)号：CN105790761A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610100414.0

申请日：2016-02-24

Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院

Inventor： 盖伟新 ,  黄继超

IPC: H03L7/099

CPC classification number: H03L7/0991 ,  H03L2207/50

Abstract: 本发明涉及一种用于高频全数字锁相环的高精度数字控制振荡器，包括电感、电容阵列以及差分耦合对管，所述电容阵列包括粗调电容阵列和精调电容阵列，所述精调电容阵列包括若干高精度电容单元，所述高精度电容单元包括三个MOM电容和两个NMOS管，其中第三MOM电容分别与第一MOM电容和第二MOM电容的一端相连接，第一MOM电容和第二MOM电容的另一端分别与差分时钟输出连接，两个NMOS管的漏极分别接在第三MOM电容两端，两个NMOS管的栅极短接且连接控制字，两个NMOS管的源极短接且接地。本发明能够达到比工艺库中最小电容更小的最小有效电容值变化的设计要求，相比传统的数字控制振荡器具有明显的优势。