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公开(公告)号：CN117778011A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311801210.6
申请日：2023-12-25
Applicant: 利亚德光电股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改性锌基纳米片及其制备方法。该改性锌基纳米片包括纳米片晶核和包覆在纳米片晶核表面的锌基纳米片层，改性锌基纳米片包括(0001)晶面、#imgabs0#晶面与#imgabs1#晶面，其中，(0001)晶面的厚度为5～40nm，#imgabs2#晶面的厚度为5～40nm，#imgabs3#晶面的厚度为1～10nm。一方面由于硒醚的分子体积小，易于快速吸附于纳米片晶核的晶面上，从而缩小了以上三个晶面反应空间大小的区别，缩小了以上三个晶面之间结合能的差距大小；另一方面硒醚中的硒‑碳键比硒‑磷键难断裂，使得生长速度主要受控于硒‑碳键的强度，能够诱导三个晶面的均匀生长，进一步地，得到结构更为对称、高荧光量子产率、低荧光半高宽的纳米片。
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公开(公告)号：CN117116727A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310901651.7
申请日：2023-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/075 , H01J1/34
Abstract: 本发明公开了一种基于介质材料体系的光电子源，其特征在于，包括激发光源和位于真空腔内的介质材料层、衬底层和导电层；衬底层上依次为导电层、作为波导的介质材料层；所述激发光源用于产生激光入射到所述介质材料层；所述介质材料层上制备有微纳结构，用于将入射到所述介质材料层边缘的激光从边缘向所述介质材料层的中心区域汇聚耦合，通过不同方向的波导模式之间的干涉叠加，在中心区域聚焦形成超越衍射极限的局域光场模式，局域光场模式的分布区域作为光电子源产生电子的工作区域，即光电子源的发射区域。本发明形成具备几十纳米超小发射面积、较小发射角和较窄电子展宽的平面型光电子源，对超快电子显微镜和超快电子衍射的应用提供很大帮助。
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公开(公告)号：CN113845897A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111097489.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体半导体片状纳米晶体的合成方法。本发明在胶体半导体片状纳米晶体的晶种横向生长过程中，第一次快速注入硫前驱体，通过控制注入硫前驱体的速度和注入量，调控荧光峰，随着在前期硫前驱体的注入量的增加，荧光峰会向更短的波长移动；第二次缓慢注入硫前驱体，从而在胶体半导体片状纳米晶体的侧边生长硫化物保护冠，硫化物保护冠相比与能够发光的胶体半导体片状纳米晶体具有更高的能隙，从而隔绝表面缺陷；并且，胶体半导体片状纳米晶体作为发光核，硫前驱体注入缓慢，使得发光核心与硫化物保护冠间的晶格差异变得平滑，消除了内部缺陷，从而将荧光量子产率提升到100％；使用易制备的硫前驱体进一步降低了合成的复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113651286B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010398349.0
申请日：2020-05-12
Applicant: 北京大学 , 致晶科技(北京)有限公司
IPC: B81B7/04 , B81C1/00 , H10K50/115 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种量子点像素化薄膜及其制备方法，所述量子点像素化薄膜包括量子点层和基底层；所述量子点层包括量子点；所述基底层包括基底；所述量子点自组装在所述基底的表面。本发明通过对基底进行表面预处理，使得图案化的片状/棒状量子点可在基底表面进行原位组装，从而在基板上形成厚度在纳米级的均匀薄膜，进一步提高了量子点的发光效率，当使用喷墨打印技术进行像素化时可避免咖啡环的形成，有助于提高量子点像素化显示的能效。
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公开(公告)号：CN113845897B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111097489.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体半导体片状纳米晶体的合成方法。本发明在胶体半导体片状纳米晶体的晶种横向生长过程中，第一次快速注入硫前驱体，通过控制注入硫前驱体的速度和注入量，调控荧光峰，随着在前期硫前驱体的注入量的增加，荧光峰会向更短的波长移动；第二次缓慢注入硫前驱体，从而在胶体半导体片状纳米晶体的侧边生长硫化物保护冠，硫化物保护冠相比与能够发光的胶体半导体片状纳米晶体具有更高的能隙，从而隔绝表面缺陷；并且，胶体半导体片状纳米晶体作为发光核，硫前驱体注入缓慢，使得发光核心与硫化物保护冠间的晶格差异变得平滑，消除了内部缺陷，从而将荧光量子产率提升到100％；使用易制备的硫前驱体进一步降低了合成的复杂度。
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公开(公告)号：CN113651286A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010398349.0
申请日：2020-05-12
Applicant: 北京大学 , 致晶科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子点像素化薄膜及其制备方法，所述量子点像素化薄膜包括量子点层和基底层；所述量子点层包括量子点；所述基底层包括基底；所述量子点自组装在所述基底的表面。本发明通过对基底进行表面预处理，使得图案化的片状/棒状量子点可在基底表面进行原位组装，从而在基板上形成厚度在纳米级的均匀薄膜，进一步提高了量子点的发光效率，当使用喷墨打印技术进行像素化时可避免咖啡环的形成，有助于提高量子点像素化显示的能效。
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公开(公告)号：CN118772888A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410850152.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 利亚德光电股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改性核壳锌基纳米片及其制备方法。该改性核壳锌基纳米片包括纳米片晶核和包覆在纳米片晶核表面的硫硒锌纳米壳层，改性核壳锌基纳米片包括(0001)晶面、#imgabs0#晶面与#imgabs1#晶面，其中，(0001)晶面的厚度为5～40nm，#imgabs2#晶面的厚度为5～40nm，#imgabs3#晶面的厚度为1～10nm。本申请不仅制备得到了以硫硒锌纳米壳层为包覆层的改性核壳锌基纳米片，且该改性核壳锌基纳米片沿(0001)晶面、#imgabs4#晶面与#imgabs5#晶面的生长厚度在以上范围内，即本申请中改性核壳锌基纳米片的三个晶面的厚度差距较小、结构更为对称、荧光量子产率高、荧光峰红移波长更大，且该改性核壳锌基纳米片的稳定性更高。
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公开(公告)号：CN117658082A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311655272.0
申请日：2023-12-05
Applicant: 利亚德光电股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本申请提供一种纤锌矿纳米片的制备方法及纤锌矿纳米片。纤锌矿纳米片的制备方法包括：将金属源与溶剂混合，得到阳离子前驱体溶液，其中，以体积分数计，溶剂包括：30％～100％胺类溶剂；将阴离子源、芳基膦与溶剂混合，得到阴离子前驱体溶液；将阳离子前驱体溶液与阴离子前驱体溶液在预设温度下混合反应，得到纤锌矿纳米片。本申请的制备方法通过引入特定的芳基膦配体抑制(0001)晶面的活性，同时保持(1120)晶面的活性，实现纤锌矿纳米片的可控生长，以解决现有技术存在的无法较好地控制纳米片的形貌的问题。
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