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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118772888A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410850152.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 利亚德光电股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改性核壳锌基纳米片及其制备方法。该改性核壳锌基纳米片包括纳米片晶核和包覆在纳米片晶核表面的硫硒锌纳米壳层，改性核壳锌基纳米片包括(0001)晶面、#imgabs0#晶面与#imgabs1#晶面，其中，(0001)晶面的厚度为5～40nm，#imgabs2#晶面的厚度为5～40nm，#imgabs3#晶面的厚度为1～10nm。本申请不仅制备得到了以硫硒锌纳米壳层为包覆层的改性核壳锌基纳米片，且该改性核壳锌基纳米片沿(0001)晶面、#imgabs4#晶面与#imgabs5#晶面的生长厚度在以上范围内，即本申请中改性核壳锌基纳米片的三个晶面的厚度差距较小、结构更为对称、荧光量子产率高、荧光峰红移波长更大，且该改性核壳锌基纳米片的稳定性更高。
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公开(公告)号：CN117658082A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311655272.0
申请日：2023-12-05
Applicant: 利亚德光电股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本申请提供一种纤锌矿纳米片的制备方法及纤锌矿纳米片。纤锌矿纳米片的制备方法包括：将金属源与溶剂混合，得到阳离子前驱体溶液，其中，以体积分数计，溶剂包括：30％～100％胺类溶剂；将阴离子源、芳基膦与溶剂混合，得到阴离子前驱体溶液；将阳离子前驱体溶液与阴离子前驱体溶液在预设温度下混合反应，得到纤锌矿纳米片。本申请的制备方法通过引入特定的芳基膦配体抑制(0001)晶面的活性，同时保持(1120)晶面的活性，实现纤锌矿纳米片的可控生长，以解决现有技术存在的无法较好地控制纳米片的形貌的问题。
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公开(公告)号：CN113845897B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111097489.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体半导体片状纳米晶体的合成方法。本发明在胶体半导体片状纳米晶体的晶种横向生长过程中，第一次快速注入硫前驱体，通过控制注入硫前驱体的速度和注入量，调控荧光峰，随着在前期硫前驱体的注入量的增加，荧光峰会向更短的波长移动；第二次缓慢注入硫前驱体，从而在胶体半导体片状纳米晶体的侧边生长硫化物保护冠，硫化物保护冠相比与能够发光的胶体半导体片状纳米晶体具有更高的能隙，从而隔绝表面缺陷；并且，胶体半导体片状纳米晶体作为发光核，硫前驱体注入缓慢，使得发光核心与硫化物保护冠间的晶格差异变得平滑，消除了内部缺陷，从而将荧光量子产率提升到100％；使用易制备的硫前驱体进一步降低了合成的复杂度。
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公开(公告)号：CN113845897A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111097489.5
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体半导体片状纳米晶体的合成方法。本发明在胶体半导体片状纳米晶体的晶种横向生长过程中，第一次快速注入硫前驱体，通过控制注入硫前驱体的速度和注入量，调控荧光峰，随着在前期硫前驱体的注入量的增加，荧光峰会向更短的波长移动；第二次缓慢注入硫前驱体，从而在胶体半导体片状纳米晶体的侧边生长硫化物保护冠，硫化物保护冠相比与能够发光的胶体半导体片状纳米晶体具有更高的能隙，从而隔绝表面缺陷；并且，胶体半导体片状纳米晶体作为发光核，硫前驱体注入缓慢，使得发光核心与硫化物保护冠间的晶格差异变得平滑，消除了内部缺陷，从而将荧光量子产率提升到100％；使用易制备的硫前驱体进一步降低了合成的复杂度。
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公开(公告)号：CN117778011A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311801210.6
申请日：2023-12-25
Applicant: 利亚德光电股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改性锌基纳米片及其制备方法。该改性锌基纳米片包括纳米片晶核和包覆在纳米片晶核表面的锌基纳米片层，改性锌基纳米片包括(0001)晶面、#imgabs0#晶面与#imgabs1#晶面，其中，(0001)晶面的厚度为5～40nm，#imgabs2#晶面的厚度为5～40nm，#imgabs3#晶面的厚度为1～10nm。一方面由于硒醚的分子体积小，易于快速吸附于纳米片晶核的晶面上，从而缩小了以上三个晶面反应空间大小的区别，缩小了以上三个晶面之间结合能的差距大小；另一方面硒醚中的硒‑碳键比硒‑磷键难断裂，使得生长速度主要受控于硒‑碳键的强度，能够诱导三个晶面的均匀生长，进一步地，得到结构更为对称、高荧光量子产率、低荧光半高宽的纳米片。
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