公开(公告)号：CN117747725A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311727409.9

申请日：2023-12-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈志忠 ,  潘祚坚 ,  张浩东 ,  胡凌 ,  黄飞 ,  邓楚涵 ,  陈怡安 ,  董勃言 ,  王大奇 ,  李俞辰 ,  陈伟华 ,  焦飞 ,  康香宁 ,  沈波

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬底、非故意掺杂的氮化镓层、n型掺杂的氮化镓层、长沟槽型多量子阱、修复层、发光多量子阱和p型掺杂的氮化镓层；沟槽型多量子阱表面具有环状V型坑，为沟槽型多量子阱和修复层提供应力弛豫，使得修复层的晶格得到扩张，有利于提高发光多量子阱中的铟并入，并且作为空间隔离，避免环状V型坑内部的量子阱中的载流子受到外部缺陷的影响；修复层修复低温生长的沟槽型多量子阱的粗糙表面，为后续生长的发光多量子阱提供平整的生长表面；修复层作为空穴阻挡层，阻挡来自p型掺杂的氮化镓层的空穴进入到沟槽型多量子阱中，使得空穴集中于发光多量子阱中用于辐射复合。

公开(公告)号：CN116682814A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310835780.0

申请日：2023-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈志忠 ,  邓楚涵 ,  康香宁 ,  陈伟华 ,  焦飞 ,  聂靖昕 ,  潘祚坚 ,  张浩东 ,  董勃言 ,  李俞辰 ,  王大奇 ,  陈怡安 ,  席鑫 ,  沈波 ,  夏晨辉 ,  朱剑峰 ,  袁林

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种微米级垂直结构分立Micro‑LED芯片及其制备方法。本发明通过制备硬掩膜，采用光刻再深刻蚀的方式制备出分立的作为发光结构的微米柱，保证较好的光提取效率，从而改善远场分布；采用先深刻蚀再蒸镀金属的方式实现了侧壁修复的工艺，避免了腐蚀性溶液对金属电极造成损伤，解决垂直结构Micro‑LED不易侧壁修复的问题；在侧壁蒸镀金属反射层，并配合出光表面光子晶体结构，实现高度准直发光，避免了芯片与芯片之间的串扰；利用光刻负胶与键合胶化学性质的不同，解决了背面光刻去胶的难题；在N型GaN层通过纳米压印然后刻蚀出光子晶体结构，实现出光效率的增强；本发明为未来大规模量产垂直结构Micro‑LED提供了一种解决方案。