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公开(公告)号：CN117766642A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311841111.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于无掩模二次外延的micro‑LED芯片阵列的制备方法。本发明通过对GaN模板进行干法刻蚀，形成应力弛豫图形化GaN模板，再在应力弛豫图形化GaN模板基础上选区二次外延多量子阱等结构，有效避免对多量子阱区域进行干法刻蚀，从而避免了多量子阱的侧壁刻蚀损伤；应力弛豫图形化GaN模板使得n型掺杂的GaN受到的应力得到有效弛豫；在应力弛豫图形化GaN模板上生长的预应力层，所受到的压应力得到部分弛豫，面内晶格常数得到扩张，从而减小铟并入所需要的能量，增加多量子阱中铟的并入；在制备应力弛豫图形化GaN模板中的刻蚀，使得只有GaN微米柱阵列的顶面为c面，作为生长面；选区二次外延生长，不需要额外的掩模，降低了micro‑LED制备工艺的复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747725A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311727409.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬底、非故意掺杂的氮化镓层、n型掺杂的氮化镓层、长沟槽型多量子阱、修复层、发光多量子阱和p型掺杂的氮化镓层；沟槽型多量子阱表面具有环状V型坑，为沟槽型多量子阱和修复层提供应力弛豫，使得修复层的晶格得到扩张，有利于提高发光多量子阱中的铟并入，并且作为空间隔离，避免环状V型坑内部的量子阱中的载流子受到外部缺陷的影响；修复层修复低温生长的沟槽型多量子阱的粗糙表面，为后续生长的发光多量子阱提供平整的生长表面；修复层作为空穴阻挡层，阻挡来自p型掺杂的氮化镓层的空穴进入到沟槽型多量子阱中，使得空穴集中于发光多量子阱中用于辐射复合。
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公开(公告)号：CN116682814A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310835780.0
申请日：2023-07-10
Applicant: 北京大学
Inventor： 陈志忠 , 邓楚涵 , 康香宁 , 陈伟华 , 焦飞 , 聂靖昕 , 潘祚坚 , 张浩东 , 董勃言 , 李俞辰 , 王大奇 , 陈怡安 , 席鑫 , 沈波 , 夏晨辉 , 朱剑峰 , 袁林
IPC: H01L25/075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种微米级垂直结构分立Micro‑LED芯片及其制备方法。本发明通过制备硬掩膜，采用光刻再深刻蚀的方式制备出分立的作为发光结构的微米柱，保证较好的光提取效率，从而改善远场分布；采用先深刻蚀再蒸镀金属的方式实现了侧壁修复的工艺，避免了腐蚀性溶液对金属电极造成损伤，解决垂直结构Micro‑LED不易侧壁修复的问题；在侧壁蒸镀金属反射层，并配合出光表面光子晶体结构，实现高度准直发光，避免了芯片与芯片之间的串扰；利用光刻负胶与键合胶化学性质的不同，解决了背面光刻去胶的难题；在N型GaN层通过纳米压印然后刻蚀出光子晶体结构，实现出光效率的增强；本发明为未来大规模量产垂直结构Micro‑LED提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN116978995A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311010635.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改善认知和睡眠的四通道LED混合白光光源的制备方法，属于发光二极管照明技术领域。本发明采用四通道LED照明技术，优化各通道LED的峰值波长和光谱半宽，制备低色温、高照度、高显色性的照明白光LED光源，具有更高的照度和更好的显色性，实现了同时改善夜晚认知表现和光照后睡眠质量的效果。
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公开(公告)号：CN116387431A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310417910.9
申请日：2023-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种异质纳米图形衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明利用异质纳米图形材料和蓝宝石材料对腐蚀液的选择性，通过化学腐蚀的方法实现将GaN从衬底上剥离而不引入损伤。采用本发明实现了外延质量的提高和衬底的有效剥离，有效解决了湿法剥离过程中的均匀性控制问题，提高了后续制备的Micro‑LED性能和良品率。
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公开(公告)号：CN116014053A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310178195.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元隙模式的颜色转换micro‑LED及其制备方法。本发明在P型透明电极的表面形成量子点凹槽，量子点分散在各个量子点凹槽内不会凝结，P型透明电极位于金属层与金属纳米颗粒之间，使得金属层和金属纳米颗粒这两个金属结构之间形成金属结构间隙；表面等离激元使得量子阱的自发辐射光被提取至金属结构间隙中，增强量子点的发光速率，同时表面等离激元使得金属纳米颗粒具有天线作用，将能量散射出去；并且，量子点与等离激元和量子阱能够相互作用，从而量子点的发光和自发辐射速率都得到增强，并且与表面等离激元相互作用使得量子阱发射出的大部分光被量子点吸收并增强量子点发光，从而增强颜色转换效率。
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