公开(公告)号：CN104362251B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410601162.0

申请日：2014-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  王宗巍 ,  潘越 ,  郭彬彬 ,  方亦陈 ,  黎明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底，衬底上设置绝缘层和底电极，在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜，所述隔离层形成凹槽状器件区域，所述第一层阻变薄膜淀积在隔离层的凹槽内为U型状，第一层阻变薄膜的外侧壁与凹槽内侧壁之间为真空隔离层，第二层阻变薄膜覆盖在第一层阻变薄膜和隔离层上封闭了上述真空隔离层，顶电极设置在第二层阻变薄膜上。本发明在常规RRAM制备工艺基础上结合侧墙制备和腐蚀工艺，较方便地制得真空隔离层，有效抑制阻变器件与周围隔离材料的氧交换，并自然形成双层结构，进而极大的提高阻变器件的保持特性、耐久性和一致性。

公开(公告)号：CN104362251A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410601162.0

申请日：2014-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  王宗巍 ,  潘越 ,  郭彬彬 ,  方亦陈 ,  黎明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底，衬底上设置绝缘层和底电极，在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜，所述隔离层形成凹槽状器件区域，所述第一层阻变薄膜淀积在隔离层的凹槽内为U型状，第一层阻变薄膜的外侧壁与凹槽内侧壁之间为真空隔离层，第二层阻变薄膜覆盖在第一层阻变薄膜和隔离层上封闭了上述真空隔离层，顶电极设置在第二层阻变薄膜上。本发明在常规RRAM制备工艺基础上结合侧墙制备和腐蚀工艺，较方便地制得真空隔离层，有效抑制阻变器件与周围隔离材料的氧交换，并自然形成双层结构，进而极大的提高阻变器件的保持特性、耐久性和一致性。