公开(公告)号：CN101825694B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010139606.5

申请日：2010-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 方然 ,  鲁文高 ,  陈中建 ,  张雅聪 ,  鞠原 ,  刘仁直 ,  郭娟 ,  肖永强 ,  吉利久

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器电容读出电路中失调电容自动校准电路及方法，属于微电子集成电路设计及微电子MEMS技术领域。针对现有技术中的问题，本发明提供一种失调电容自动校准电路及方法，该电路包括复位电路，用于进行电荷放大器复位重置；比较电路，用于读取并比较电荷放大器输出信号；逐次逼近电路，用于接受比较结果并生成电容补偿控制码；补偿电容阵列电路，用于根据电容补偿控制码指令对传感器电容形成补偿电容。该技术方案只需要一个校准开始信号，电路在经过N+1个载波周期后即可自动调节补偿电容大小来实现电容补偿，便捷易用，比手动调整更加准确；电路实现复杂度低，而且电路功耗也大大降低，具有很高的实际应用价值。

公开(公告)号：CN102147630A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010587470.4

申请日：2010-12-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈鸣 ,  鲁文高 ,  王钊 ,  尹航 ,  张雅聪 ,  郭娟 ,  陈中建

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明涉及一种控制器及具有该控制器的驱动电路，其中控制器包括放大器和比较器，放大器的输入级与比较器的输入级共享。具有该控制器的驱动电路包括上述的控制器、功率管、控制充电管和电流源，控制器的比较输出端连接到控制充电管的栅极，控制器的放大输出端连接到功率管的栅极，充电控制管的漏极连接到功率管的栅极，功率管的源极与电流源连接，功率管的漏极连接到待驱动的负载，控制器的同相输入端连接参考电压，控制器的反相输入端连接到功率管的源极，充电控制管为PMOS管，功率管为NMOS管。本发明适用于各种驱动检测电路和保护电路中，可以提高驱动器的响应速度。

公开(公告)号：CN101825694A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010139606.5

申请日：2010-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 方然 ,  鲁文高 ,  陈中建 ,  张雅聪 ,  鞠原 ,  刘仁直 ,  郭娟 ,  肖永强 ,  吉利久

IPC: G01R35/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器电容读出电路中失调电容自动校准电路及方法，属于微电子集成电路设计及微电子MEMS技术领域。针对现有技术中的问题，本发明提供一种失调电容自动校准电路及方法，该电路包括复位电路，用于进行电荷放大器复位重置；比较电路，用于读取并比较电荷放大器输出信号；逐次逼近电路，用于接受比较结果并生成电容补偿控制码；补偿电容阵列电路，用于根据电容补偿控制码指令对传感器电容形成补偿电容。该技术方案只需要一个校准开始信号，电路在经过N+1个载波周期后即可自动调节补偿电容大小来实现电容补偿，便捷易用，比手动调整更加准确；电路实现复杂度低，而且电路功耗也大大降低，具有很高的实际应用价值。