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公开(公告)号:CN101825694B
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201010139606.5
申请日:2010-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器电容读出电路中失调电容自动校准电路及方法,属于微电子集成电路设计及微电子MEMS技术领域。针对现有技术中的问题,本发明提供一种失调电容自动校准电路及方法,该电路包括复位电路,用于进行电荷放大器复位重置;比较电路,用于读取并比较电荷放大器输出信号;逐次逼近电路,用于接受比较结果并生成电容补偿控制码;补偿电容阵列电路,用于根据电容补偿控制码指令对传感器电容形成补偿电容。该技术方案只需要一个校准开始信号,电路在经过N+1个载波周期后即可自动调节补偿电容大小来实现电容补偿,便捷易用,比手动调整更加准确;电路实现复杂度低,而且电路功耗也大大降低,具有很高的实际应用价值。
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公开(公告)号:CN101825694A
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN201010139606.5
申请日:2010-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器电容读出电路中失调电容自动校准电路及方法,属于微电子集成电路设计及微电子MEMS技术领域。针对现有技术中的问题,本发明提供一种失调电容自动校准电路及方法,该电路包括复位电路,用于进行电荷放大器复位重置;比较电路,用于读取并比较电荷放大器输出信号;逐次逼近电路,用于接受比较结果并生成电容补偿控制码;补偿电容阵列电路,用于根据电容补偿控制码指令对传感器电容形成补偿电容。该技术方案只需要一个校准开始信号,电路在经过N+1个载波周期后即可自动调节补偿电容大小来实现电容补偿,便捷易用,比手动调整更加准确;电路实现复杂度低,而且电路功耗也大大降低,具有很高的实际应用价值。
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