公开(公告)号：CN1017950B

公开(公告)日：1992-08-19

申请号：CN89109303.6

申请日：1989-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 张利春 ,  赵忠礼 ,  高玉芝 ,  宁宝俊 ,  王阳元

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具有良好的浸锡沾润性能和很强的附着能力。实验表明，本方法显著地改善了晶体管的电学性能，热疲劳试验达3万次，达到高可靠质量要求，溅射银系工艺成本低，便于推广。

公开(公告)号：CN1052750A

公开(公告)日：1991-07-03

申请号：CN89109303.6

申请日：1989-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 张利春 ,  赵忠礼 ,  高玉芝 ,  宁宝俊 ,  王阳元

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具有良好的浸锡沾润性能和很强的附着能力。实验表明，本方法显著地改善了晶体管的电学性能，热疲劳试验达3万次，达到高可靠质量要求。溅射银系工艺成本低，便于推广。