公开(公告)号：CN113076687A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110313380.4

申请日：2021-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭寻 ,  薛建明 ,  王浩 ,  刘勇 ,  田原 ,  黄华清 ,  王一涵

IPC: G06F30/27 ,  G06K9/62 ,  G06F17/18

Abstract: 本发明涉及材料分析技术领域，尤其涉及一种电子能损计算方法、装置及电子设备。该电子能损计算方法包括：获取计算参数，所述计算参数包括入射离子的原子序数、原子质量和动能，以及材料的原子序数和原子质量；将所述入射离子的所述原子序数、所述原子质量和所述动能，以及所述材料的所述原子序数和所述原子质量进行预处理，获得预处理后的参数；将所述预处理后的参数输入预测数据模型，并输出获得所述材料对所述入射离子的能量损失。本发明提供的电子能损计算方法和装置提高了电子能损的计算结果的真实性和准确性。

公开(公告)号：CN101194591A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200810055955.1

申请日：2008-01-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宇钢 ,  梅韬 ,  覃怀莉 ,  薛建明 ,  顾红雅

IPC: A01H1/06

Abstract: 本发明公开了一种植物辐射诱变的方法。该方法，是用射线辐照损伤植物种子的茎端分生组织的周围细胞后，播种筛选得到突变体。本发明的方法具体具有下述优点：1.射线的浅层穿透对种子胚的损伤较小，因而种子死亡率很低，相当于提高了诱变基数。2.不同种类不同能量的射线作用能产生不同的信号小分子，传导到茎端分生组织区域，引起相应的DNA分子断链，产生突变种类多，并具有定向诱变的特征。3.处理时间短，突变率高。4.不涉及有毒化学物质，无毒无害，安全环保。5、不需要高能加速器，极大地降低成本。

公开(公告)号：CN100558628C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200510130743.1

申请日：2005-12-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宇钢 ,  张伟明 ,  薛建明

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/113 ,  C25F3/02

Abstract: 一种Si基膜纳米孔道及其制备方法。所述的Si基膜包括：Si基；Si基上的膜和膜上的纳米孔道，其最小孔径为一至几十纳米；其中，所述的纳米孔道可以是单个或多个的，也可以是特定阵列的纳米孔道；纳米孔道的形状可以是类圆柱形或类圆锥形，也可以是中间大两头小的钟漏形。所述的方法是：利用荷能粒子，特别是荷能重离子，在Si基膜中辐照产生粒子潜径迹，然后湿法腐蚀Si基膜中的粒子潜径迹，腐蚀过程中通过一个偏压和一种阻止溶液来终止腐蚀，从而在Si基膜中形成纳米孔道。

公开(公告)号：CN1807224A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510130743.1

申请日：2005-12-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宇钢 ,  张伟明 ,  薛建明

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/113 ,  C25F3/02

Abstract: 一种Si基膜纳米孔道及其制备方法。所述的Si基膜包括：Si基；Si基上的膜和膜上的纳米孔道，其最小孔径为一至几十纳米；其中，所述的纳米孔道可以是单个或多个的，也可以是特定阵列的纳米孔道；纳米孔道的形状可以是类圆柱形或类圆锥形，也可以是中间大两头小的钟漏形。所述的方法是：利用荷能粒子，特别是荷能重离子，在Si基膜中辐照产生粒子潜径迹，然后湿法腐蚀Si基膜中的粒子潜径迹，腐蚀过程中通过一个偏压和一种阻止溶液来终止腐蚀，从而在Si基膜中形成纳米孔道。

公开(公告)号：CN112935250A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110115153.0

申请日：2021-01-28

Applicant: 北京大学 ,  新奥科技发展有限公司

Inventor： 王一涵 ,  薛建明 ,  黄庆 ,  郭寻 ,  王浩 ,  聂革

IPC: B22F3/105 ,  B22F7/02 ,  C04B35/56 ,  C04B35/626 ,  B60L5/20

Abstract: 本发明公开了一种受电弓滑板用的Cu与Ti3AlC2功能梯度材料及其制备方法，Cu与Ti3AlC2功能梯度材料由3～6层组成，Cu材料与Ti3AlC2材料的体积分数梯度变化为5％～95％。功能梯度材料Cu和Ti3AlC2含量沿厚度方向呈梯度变化，沿富Cu到富Ti3AlC2方向，材料硬度、强度、耐磨性及抗氧化性能逐渐提高。沿富Ti3AlC2到富Cu方向，电导率、热导率、韧性逐渐提高。本发明制备方法是以Cu粉和熔盐烧结得到的Ti3AlC2粉末为原料，混粉均匀后分层装于石墨模具中，通过放电等离子烧结方法得到。制得的Cu与Ti3AlC2功能梯度材料内部界面弱化，热应力缓和，不同接触面性能不同，整体性能优异，具有良好的在受电弓滑板材料的应用前景。

公开(公告)号：CN119574594A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411568101.9

申请日：2024-11-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王晨旭 ,  陈一恒 ,  高原 ,  徐川 ,  付东坡 ,  杨向军 ,  钱奕舟 ,  王宇钢 ,  薛建明 ,  付恩刚

IPC: G01N23/02 ,  G21K5/04

Abstract: 本发明公开了一种用于模拟新型核反应堆材料研发的三束离子辐照装置，包括：加速器，用于产生重离子束线；氢离子注入机，用于产生氢离子束线；氦离子注入机，用于产生氦离子束线；辐照靶室，用于接收加速器、氢离子注入机和氦离子注入机产生的束线；所述氢离子束线、氦离子束线分别位于重离子束线的两侧。本发明公开的用于模拟新型核反应堆材料研发的三束离子辐照装置，降低了材料在模拟实验与反应堆中实际情况之间的偏差，降低了模拟实验辐照靶室内中性粒子对模拟实验的影响，使得模拟实验检测更加准确。

公开(公告)号：CN113076687B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202110313380.4

申请日：2021-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭寻 ,  薛建明 ,  王浩 ,  刘勇 ,  田原 ,  黄华清 ,  王一涵

IPC: G16C10/00 ,  G16C60/00 ,  G16C20/70 ,  G16C20/90 ,  G06N3/084 ,  G06N3/048

Abstract: 本发明涉及材料分析技术领域，尤其涉及一种电子能损计算方法、装置及电子设备。该电子能损计算方法包括：获取计算参数，所述计算参数包括入射离子的原子序数、原子质量和动能，以及材料的原子序数和原子质量；将所述入射离子的所述原子序数、所述原子质量和所述动能，以及所述材料的所述原子序数和所述原子质量进行预处理，获得预处理后的参数；将所述预处理后的参数输入预测数据模型，并输出获得所述材料对所述入射离子的能量损失。本发明提供的电子能损计算方法和装置提高了电子能损的计算结果的真实性和准确性。