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公开(公告)号:CN117637481A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311568974.5
申请日:2023-11-22
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/423 , C23C14/35 , C23C14/24 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道氧化物薄膜晶体管的制备方法,属于集成电路领域。该方法制备的垂直沟道氧化物薄膜晶体管包括低阻硅衬底、源/漏电极、有源层、栅介质、栅电极,源/漏电极分居有源层上下两侧,栅介质位于有源层上侧的源/漏电极之上和有源层及源/漏电极两侧,单/双栅电极位于栅介质之上。本发明制备垂直沟道氧化物薄膜晶体管涉及单栅结构和双栅结构两种类型,该方法利用光刻工艺、溅射工艺、原子层淀积工艺和刻蚀工艺等常规技术,有望实现垂直沟道氧化物薄膜晶体管的规模化制备,步骤简单、成本低、可操作性强,具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN117572475A
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202311455528.3
申请日:2023-11-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种多径噪声自适应的伪卫星惯性融合定位方法,属于组合导航领域。该方法首先捕获跟踪伪卫星信号,提取信号中伪卫星电文、观测量等信息,伪卫星/惯性融合定位滤波器开始工作,计算出遗忘因子权重和融合定位残差,根据计算结果计算残差自适应协方差阵。当前历元数大于平滑窗宽时,则进一步计算多径自适应权重矢量,随后更新融合定位滤波器观测噪声矩阵,最终完成伪卫星/惯性融合定位。本发明所提出的方法有效提升了多径条件下伪卫星惯性融合定位精度。且可实时运行,易于实际应用。
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