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公开(公告)号：CN113793836A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111063666.8
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/367
Abstract: 本发明实施例公开了一种单片集成的功率模块封装结构及其制备方法，所述封装结构包括单片集成设置的多管功率芯片和散热底盘，所述多管功率芯片和散热底盘之间通过一层粘合剂连接，所述多管功率芯片上集成有多个按照预设绝缘间隔设置的晶体管。多管功率芯片含有多个不同种类的晶体管，晶体管之间有一定距离以确保绝缘，配合引线键合来构成电路，可以独立满足一个电力电子应用场景；散热底盘的一面刻蚀有凹槽，芯片贴合后封盖住凹槽的顶部，形成微管道，流通散热工质以带走热。主要为了增强封装散热性能、减小封装体积以及降低封装过程中的芯片对准精度要求和贴片时的界面连接技术要求。
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