公开(公告)号：CN104576714B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201510037027.2

申请日：2015-01-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  程建朋 ,  桑玲 ,  许福军

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L21/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种硅衬底上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN基异质结构为层状叠加结构，从下向上的材料依次为：硅衬底、成核层、应力和缺陷控制层、外延层、沟道层、插入层和势垒层，其中应力和缺陷控制层为AlGaN层，其厚度为10nm‑10μm；且Al摩尔组分为1‑26％。与现有的较繁琐的硅上GaN基异质结构外延技术相比，本发明可以大幅降低缺陷密度，提高异质结构材料的晶体质量，十分适合于低成本的高频、高功率器件的研制。

公开(公告)号：CN104576714A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510037027.2

申请日：2015-01-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  程建朋 ,  桑玲 ,  许福军

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  H01L21/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种硅衬底上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN基异质结构为层状叠加结构，从下向上的材料依次为：硅衬底、成核层、应力和缺陷控制层、外延层、沟道层、插入层和势垒层，其中应力和缺陷控制层为AlGaN层，其厚度为10nm-10μm；且Al摩尔组分为1-26％。与现有的较繁琐的硅上GaN基异质结构外延技术相比，本发明可以大幅降低缺陷密度，提高异质结构材料的晶体质量，十分适合于低成本的高频、高功率器件的研制。