一种射频前端电路结构
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102170296B

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201110102585.4

    申请日:2011-04-22

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种射频前端电路结构,包括接收机射频前端和发射机射频前端,所述接收机射频前端结构中的低噪声放大器与阻抗匹配网络之间接入第一开关管,所述低噪声放大器与电源之间接入第二开关管;所述发射机射频前端结构中的射频功率放大器与阻抗匹配网络之间接入第三开关管,所述射频功率放大器与电源之间接入第四开关管;上述开关管的开启由数字基带产生的使能信号控制,所述低噪声放大器和射频功率放大器复用同一个片外电感,所述片外电感与接收天线连接。本发明的射频前端电路结构省去双工器,电路结构简单,并能保证收发机的两种状态正常工作;将两个片外电感节省为一个,减少无源器件的成本和面积;保证收发机的各项性能。

    一种超低功耗压控振荡器电路及其信号处理方法

    公开(公告)号:CN102201785A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN201010131878.0

    申请日:2010-03-23

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种超低功耗压控振荡器电路及其信号处理方法,属于射频集成电路领域。本发明方法为:1)利用交叉耦合有源模块产生一负阻,补偿LC-tank电路中的电阻;其中LC-tank电路中的电感为一片外电感;2)将LC-tank电路的差分振荡信号经一RC正交信号产生模块中的RC网络输出四路正交信号。本发明电路为:交叉耦合有源模块的两差分输出端分别与所述RC正交信号产生电路的两输入端和LC-tank电路的两差分输出端连接;所述LC-tank电路中的电感为一片外电感,所述片外电感的两端分别与所述LC-tank电路的两差分输出端连接。本发明可降低芯片功耗、减小芯片面积,同时提高频率范围,且电路结构简单。

    一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法

    公开(公告)号:CN101249962A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200810101961.6

    申请日:2008-03-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法,属于微加工技术领域。该方法首先将硅衬底表面抛光或选择已经单面或双面抛光的硅衬底;在硅衬底表面预制若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽,凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致,对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀,即可形成孔洞有序排列的多孔硅。采用本发明,多孔硅孔洞将沿着凹槽方向整齐排列,工艺简单、可靠,降低有序多孔硅的制备成本。而且通过预先设计凹槽的方向或排列方式,可有效制备一维或二维孔洞有序排列的多孔硅。

    一种流水线式模数转换器的前向误差补偿校正方法及装置

    公开(公告)号:CN101192829A

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200710179873.3

    申请日:2007-12-19

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种流水线式模数转换器的前向误差补偿校正方法及装置,其特征在于:前向误差补偿校正方法的原理是,当子流水级中采样保持电路处于保持阶段时,输出点的电压误差会反映到其运算放大器的输入虚地点上;上级子流水级运算放大器输入虚地点电压误差值通过一个前向误差补偿电路保持并传递,与下级子流水级的输入电压进行比较计算,使上级子流水级的输出电压误差得到精确补偿;实现前向误差补偿的采样保持电路与流水级使用同样的时钟信号。本发明采用前向误差补偿方法的流水线式ADC辅以多通道、时间交叠等技术,可以降低通信接收机系统中基带的压力,同样也可以解决军事设备中软件无线电技术在ADC分辨率和速度上的瓶颈。

    一种超低功耗压控振荡器电路及其信号处理方法

    公开(公告)号:CN102201785B

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201010131878.0

    申请日:2010-03-23

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种超低功耗压控振荡器电路及其信号处理方法,属于射频集成电路领域。本发明方法为:1)利用交叉耦合有源模块产生一负阻,补偿LC-tank电路中的电阻;其中LC-tank电路中的电感为一片外电感;2)将LC-tank电路的差分振荡信号经一RC正交信号产生模块中的RC网络输出四路正交信号。本发明电路为:交叉耦合有源模块的两差分输出端分别与所述RC正交信号产生电路的两输入端和LC-tank电路的两差分输出端连接;所述LC-tank电路中的电感为一片外电感,所述片外电感的两端分别与所述LC-tank电路的两差分输出端连接。本发明可降低芯片功耗、减小芯片面积,同时提高频率范围,且电路结构简单。

    一种超低功耗低噪声放大器结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN101820251A

    公开(公告)日:2010-09-01

    申请号:CN201010173289.9

    申请日:2010-05-17

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种超低功耗低噪声放大器的电路设计,属于射频集成电路领域。本发明采用电流复用的方法,使用上下级联的两层共源放大结构,在两层共源放大结构的连接点使用大电容,输入端使用高Q值的片外电感,在一级单元电路中使用PMOS负载取代传统的放大器负载电感。使用本发明的放大器电路结构比传统结构的低噪声放大器功耗更低,在性能方面更为优越,其噪声约为2dB,增益在30dB左右。

    一种射频识别标签及其制备方法

    公开(公告)号:CN101169837A

    公开(公告)日:2008-04-30

    申请号:CN200710178866.1

    申请日:2007-12-06

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种射频识别标签及其制备方法。该射频识别标签包含硅片,集成在硅片正面的电路模块和在片天线,硅片包括硅片层和多孔硅衬底层,硅片层厚度为1-40微米,优选5微米。该制备方法包括以下步骤:1)在硅片正面制备电路模块及在片天线;2)将硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中,通电进行阳极氧化反应;腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混合液或氢氟酸和二甲基甲酰胺的混合液;通电进行阳极氧化反应的电流密度为5mA/cm2-100mA/cm2。本发明提供的射频识别标签,衬底损耗显著降低,能将天线有效集成在标签上,极大减小了射频标签芯片的面积;制备方法与现有CMOS工艺完全兼容,成本低廉,工艺简单,非常适合射频识别标签的大规模工业生产。

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