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公开(公告)号：CN114533350A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210098611.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
IPC: A61F2/44
Abstract: 本发明公开了一种人工椎间盘假体，涉及医疗器械技术领域。人工椎间盘假体包括上终板、髓核假体和下终板；上终板下表面设有球形凹槽；髓核假体包括相互连接的球头部和基座部，基座部位于球头部的下方，球头部和上终板的球形凹槽相互贴合且能够相对转动，基座部的侧面设有多个沿基座部的周向间隔设置的缓冲孔；下终板设有连接插槽，基座部与连接插槽装配连接。本发明的人工椎间盘假体，髓核假体和上终板之间能够实现万向转动，保证植入后人体的运动的灵活性，另外在基座部的周向设置的缓冲孔能够实现缓冲功能，在脊柱在各个方向弯曲时可以通过缓冲孔进行缓冲，避免人工椎间盘假体对相邻的椎体造成损伤，能够更接近原有人体椎间盘的功能。
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公开(公告)号：CN117845326A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410258109.9
申请日：2024-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应，以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，显著降低生长速率，为Al源提供充足迁移时间，有助于Al源的均匀并入；以残余Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，本发明能够实现生长速率低于0.1 nm/s的目标AlGaN薄膜生长；结合残余Al源流量和目标AlGaN薄膜生长时间的控制，实现目标AlGaN薄膜的Al组分和原子层级厚度的精准生长控制；能够形成Al组分逐渐降低或常规恒定的目标AlGaN薄膜；本发明在外延结构和器件制备方面具有直接应用的重大价值，应用于紫外发光/激光二极管等发光器件的有源区、p型极化诱导层、HEMT的AlGaN势垒层、多周期超晶格结构和AlGaN组分渐变的应变调制层等。
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公开(公告)号：CN117845326B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410258109.9
申请日：2024-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应，以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，显著降低生长速率，为Al源提供充足迁移时间，有助于Al源的均匀并入；以残余Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，本发明能够实现生长速率低于0.1 nm/s的目标AlGaN薄膜生长；结合残余Al源流量和目标AlGaN薄膜生长时间的控制，实现目标AlGaN薄膜的Al组分和原子层级厚度的精准生长控制；能够形成Al组分逐渐降低或常规恒定的目标AlGaN薄膜；本发明在外延结构和器件制备方面具有直接应用的重大价值，应用于紫外发光/激光二极管等发光器件的有源区、p型极化诱导层、HEMT的AlGaN势垒层、多周期超晶格结构和AlGaN组分渐变的应变调制层等。
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公开(公告)号：CN217472164U
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202220225489.2
申请日：2022-01-27
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
IPC: A61F2/44
Abstract: 本实用新型公开了一种人工椎间盘假体，涉及医疗器械技术领域。人工椎间盘假体包括上终板、髓核假体和下终板；上终板下表面设有球形凹槽；髓核假体包括相互连接的球头部和基座部，基座部位于球头部的下方，球头部和上终板的球形凹槽相互贴合且能够相对转动，基座部的侧面设有多个沿基座部的周向间隔设置的缓冲孔；下终板设有连接插槽，基座部与连接插槽装配连接。本实用新型的人工椎间盘假体，髓核假体和上终板之间能够实现万向转动，保证植入后人体的运动的灵活性，另外在基座部的周向设置的缓冲孔能够实现缓冲功能，在脊柱在各个方向弯曲时可以通过缓冲孔进行缓冲，避免人工椎间盘假体对相邻的椎体造成损伤，能够更接近原有人体椎间盘的功能。
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