-
公开(公告)号：CN118421757B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410656500.4
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
IPC: C12Q1/6806 , C12Q1/6851
Abstract: 本发明一种可用于监测RNA提取、逆转录、qPCR效率以及数据均一化的方法，其包括RNA提取、cDNA合成和荧光定量PCR，其特征在于：在RNA提取的操作中加入序列为SEQ ID No.1的DAF外参基因；在RNA提取之后进行cDNA合成之前加入序列为SEQ ID No.2的EAT外参基因；在cDNA合成之后荧光定量PCR之前加入序列为SEQ ID No.3的SKN外参基因；通过荧光定量PCR测定DAF外参基因、EAT外参基因和SKN外参基因的Ct值；基于Ct值的增加与否判断结果是否可信。本发明的方法能提高数据的可靠性，使研究者能够更准确地解释实验结果，可作为标准化实验数据的重要工具，帮助消除实验操作、样本处理和其他非生物学因素造成的变异。
-
公开(公告)号：CN118421757A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410656500.4
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
IPC: C12Q1/6806 , C12Q1/6851
Abstract: 本发明一种可用于监测RNA提取、逆转录、qPCR效率以及数据均一化的方法，其包括RNA提取、cDNA合成和荧光定量PCR，其特征在于：在RNA提取的操作中加入序列为SEQ ID No.1的DAF外参基因；在RNA提取之后进行cDNA合成之前加入序列为SEQ ID No.2的EAT外参基因；在cDNA合成之后荧光定量PCR之前加入序列为SEQ ID No.3的SKN外参基因；通过荧光定量PCR测定DAF外参基因、EAT外参基因和SKN外参基因的Ct值；基于Ct值的增加与否判断结果是否可信。本发明的方法能提高数据的可靠性，使研究者能够更准确地解释实验结果，可作为标准化实验数据的重要工具，帮助消除实验操作、样本处理和其他非生物学因素造成的变异。
-
公开(公告)号：CN101008106A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610002680.6
申请日：2006-01-27
Applicant: 北京大学
IPC: C30B29/62
Abstract: 一种制备半导体纳米管的方法，不必借助模板，能够在不同基底上原位生长出晶化程度良好的半导体纳米管，包括步骤：1)将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合成半导体的气体；2)引入低温等离子体使反应性气体生成活性物种，同时将基底或金属箔的温度维持在一范围内使半导体纳米管生长，所述的温度范围不低于200℃，不高于该基底上的金属薄膜或金属箔的熔点以上200℃，所述的半导体的阳离子来自金属箔或金属薄膜，阴离子来自反应性气体；3)保持混合气的输入，直至反应进行完全后结束。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100406387C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510059947.0
申请日：2005-04-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种表面为特定规则晶面、具有特定表面性质的稀土族元素氧化物粉体及其制备方法。所述的稀土族元素的氧化物粉体包含表面为催化活性较高的{100}和{110}晶面的颗粒；所述的制备方法包括如下步骤：(1)将稀土放于可抽真空的加热设备中，抽真空后向加热设备中通入氢气和惰性气体的混合气；(2)在氢气和惰性气体的混合气氛下对稀土加强热使其蒸发，稀土蒸气在冷凝过程中吸氢形成稀土氢化物粉体颗粒；(3)将稀土氢化物粉体颗粒收集起来放在含氧气氛中氧化。整个制备过程是干式工艺，不仅步骤简单、所需的设备简单，而且清洁无污染，并且适用于大规模的工业生产。
-
公开(公告)号：CN1847152A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510059947.0
申请日：2005-04-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种表面为特定规则晶面、具有特定表面性质的稀土族元素氧化物粉体及其制备方法。所述的稀土族元素的氧化物粉体包含表面为催化活性较高的{100}和{110}晶面的颗粒；所述的制备方法包括如下步骤：(1)将稀土放于可抽真空的加热设备中，抽真空后向加热设备中通入氢气和惰性气体的混合气；(2)在氢气和惰性气体的混合气氛下对稀土加强热使其蒸发，稀土蒸气在冷凝过程中吸氢形成稀土氢化物粉体颗粒；(3)将稀土氢化物粉体颗粒收集起来放在含氧气氛中氧化。整个制备过程是干式工艺，不仅步骤简单、所需的设备简单，而且清洁无污染，并且适用于大规模的工业生产。
-
公开(公告)号：CN1413908A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02156731.X
申请日：2002-12-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01C1/04
Abstract: 本发明提供了一种合成氨新方法，步骤如下：(一)在防止氧化和氮化的反应气氛中，将块体或粉体的稀土金属或稀土合金加热到氢化温度以上；(二)向反应器中通入氢气，使稀土金属或稀土合金吸收氢气；(三)向反应器中通入氧气和氮气的混合气体或者空气，稀土金属或稀土合金氢化产物与氧气和氮气发生化学反应，制备出氨气。本发明制备氨的方法，采用的原料为氢气、氧气和氮气，金属或稀土合金为中间介质，通过中间介质吸收氢气后，再与氧气和氮气作用生成活性的氮和氢，最终合成氨气。该方法能够在常温常压下进行，提高温度和压力可以提高氨的产率和合成速度，该方法所需要的工序少，设备简单，并可以节省大量能源。
-
公开(公告)号：CN100436661C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610002680.6
申请日：2006-01-27
Applicant: 北京大学
IPC: C30B29/62
Abstract: 一种制备半导体纳米管的方法，不必借助模板，能够在不同基底上原位生长出晶化程度良好的半导体纳米管，包括步骤：1)将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合成半导体的气体；2)引入低温等离子体使反应性气体生成活性物种，同时将基底或金属箔的温度维持在一范围内使半导体纳米管生长，所述的温度范围不低于200℃，不高于该基底上的金属薄膜或金属箔的熔点以上200℃，所述的半导体的阳离子来自金属箔或金属薄膜，阴离子来自反应性气体；3)保持混合气的输入，直至反应进行完全后结束。
-
公开(公告)号：CN1170771C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02156731.X
申请日：2002-12-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01C1/04
Abstract: 本发明提供了一种合成氨新方法，步骤如下：(一)在防止氧化和氮化的反应气氛中，将块体或粉体的稀土金属或稀土合金加热到氢化温度以上；(二)向反应器中通入氢气，使稀土金属或稀土合金吸收氢气；(三)向反应器中通入氧气和氮气的混合气体或者空气，稀土金属或稀土合金氢化产物与氧气和氮气发生化学反应，制备出氨气。本发明制备氨的方法，采用的原料为氢气、氧气和氮气，金属或稀土合金为中间介质，通过中间介质吸收氢气后，再与氧气和氮气作用生成活性的氮和氢，最终合成氨气。该方法能够在常温常压下进行，提高温度和压力可以提高氨的产率和合成速度，该方法所需要的工序少，设备简单，并可以节省大量能源。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
