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公开(公告)号：CN101008106A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610002680.6
申请日：2006-01-27
Applicant: 北京大学
IPC: C30B29/62
Abstract: 一种制备半导体纳米管的方法，不必借助模板，能够在不同基底上原位生长出晶化程度良好的半导体纳米管，包括步骤：1)将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合成半导体的气体；2)引入低温等离子体使反应性气体生成活性物种，同时将基底或金属箔的温度维持在一范围内使半导体纳米管生长，所述的温度范围不低于200℃，不高于该基底上的金属薄膜或金属箔的熔点以上200℃，所述的半导体的阳离子来自金属箔或金属薄膜，阴离子来自反应性气体；3)保持混合气的输入，直至反应进行完全后结束。
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公开(公告)号：CN100406387C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510059947.0
申请日：2005-04-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种表面为特定规则晶面、具有特定表面性质的稀土族元素氧化物粉体及其制备方法。所述的稀土族元素的氧化物粉体包含表面为催化活性较高的{100}和{110}晶面的颗粒；所述的制备方法包括如下步骤：(1)将稀土放于可抽真空的加热设备中，抽真空后向加热设备中通入氢气和惰性气体的混合气；(2)在氢气和惰性气体的混合气氛下对稀土加强热使其蒸发，稀土蒸气在冷凝过程中吸氢形成稀土氢化物粉体颗粒；(3)将稀土氢化物粉体颗粒收集起来放在含氧气氛中氧化。整个制备过程是干式工艺，不仅步骤简单、所需的设备简单，而且清洁无污染，并且适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN100436661C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610002680.6
申请日：2006-01-27
Applicant: 北京大学
IPC: C30B29/62
Abstract: 一种制备半导体纳米管的方法，不必借助模板，能够在不同基底上原位生长出晶化程度良好的半导体纳米管，包括步骤：1)将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合成半导体的气体；2)引入低温等离子体使反应性气体生成活性物种，同时将基底或金属箔的温度维持在一范围内使半导体纳米管生长，所述的温度范围不低于200℃，不高于该基底上的金属薄膜或金属箔的熔点以上200℃，所述的半导体的阳离子来自金属箔或金属薄膜，阴离子来自反应性气体；3)保持混合气的输入，直至反应进行完全后结束。
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公开(公告)号：CN1847152A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510059947.0
申请日：2005-04-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种表面为特定规则晶面、具有特定表面性质的稀土族元素氧化物粉体及其制备方法。所述的稀土族元素的氧化物粉体包含表面为催化活性较高的{100}和{110}晶面的颗粒；所述的制备方法包括如下步骤：(1)将稀土放于可抽真空的加热设备中，抽真空后向加热设备中通入氢气和惰性气体的混合气；(2)在氢气和惰性气体的混合气氛下对稀土加强热使其蒸发，稀土蒸气在冷凝过程中吸氢形成稀土氢化物粉体颗粒；(3)将稀土氢化物粉体颗粒收集起来放在含氧气氛中氧化。整个制备过程是干式工艺，不仅步骤简单、所需的设备简单，而且清洁无污染，并且适用于大规模的工业生产。
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