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公开(公告)号：CN104954053B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201410125774.7
申请日：2014-03-31
IPC: H04B7/04
Abstract: 本发明公开了一种天线工作模式的选取装置、设备及方法，属于互联网技术领域。方法包括：获取第一类终端与第一类天线间的第一信道信息、第一类终端与第二类天线间的第二信道信息、第二类终端与第一类天线间的第三信道信息、第二类终端与第二类天线间的第四信道信息及第一类终端与第二类终端间的第五信道信息；根据第一信道信息、第二信道信息、第三信道信息、第四信道信息及第五信道信息计算每种预设天线工作模式的上下行参数；根据每种预设天线工作模式的上下行参数选取天线工作模式。本发明通过获取信道信息，根据信道信息计算上下行参数，从而选取天线工作模式。由于可以根据信道信息来对天线工作模式进行选取，因而灵活性较好，传输信号的效率较高。
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公开(公告)号：CN101311349B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810101189.8
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维结构具有类似于倒屋顶的外形，即，顶面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，顶面长方形的长度等于该倒屋顶形的屋脊长度和顶面长方形的宽度的和，特别的，当倒屋顶形的屋脊长度为零时，该倒屋顶形退化为倒金字塔形。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；制备参数容易控制；生成的产物形貌平整，结晶良好，且具有规则的硅的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101311347A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810101187.9
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。本发明还提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN104956734B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201380033304.1
申请日：2013-11-29
IPC: H04W48/10
Abstract: 本发明实施例提供了一种传输模式的选择方法、基站和用户设备，该方法包括：基站确定全双工设备的自干扰消除能力信息和该全双工设备接收目标信号的信噪比信息；该基站根据该全双工设备的自干扰消除能力信息和该全双工设备接收目标信号的信噪比信息，确定该全双工设备的传输模式，该传输模式包括全双工模式和半双工模式。本发明实施例中，基站根据全双工设备的自干扰消除能力、全双工设备接收目标信号的信噪比，确定全双工设备的传输模式，避免了过强的自干扰对系统的影响，从而提高全双工系统的性能。
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公开(公告)号：CN101311349A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810101189.8
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维结构具有类似于倒屋顶的外形，即，顶面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，顶面长方形的长度等于该倒屋顶形的屋脊长度和顶面长方形的宽度的和，特别的，当倒屋顶形的屋脊长度为零时，该倒屋顶形退化为倒金字塔形。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；制备参数容易控制；生成的产物形貌平整，结晶良好，且具有规则的硅的三维立体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104954053A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410125774.7
申请日：2014-03-31
IPC: H04B7/04
CPC classification number: H04B7/0689 , H04B7/0413 , H04B7/063 , H04B7/0669
Abstract: 本发明公开了一种天线工作模式的选取装置、设备及方法，属于互联网技术领域。方法包括：获取第一类终端与第一类天线间的第一信道信息、第一类终端与第二类天线间的第二信道信息、第二类终端与第一类天线间的第三信道信息、第二类终端与第二类天线间的第四信道信息及第一类终端与第二类终端间的第五信道信息；根据第一信道信息、第二信道信息、第三信道信息、第四信道信息及第五信道信息计算每种预设天线工作模式的上下行参数；根据每种预设天线工作模式的上下行参数选取天线工作模式。本发明通过获取信道信息，根据信道信息计算上下行参数，从而选取天线工作模式。由于可以根据信道信息来对天线工作模式进行选取，因而灵活性较好，传输信号的效率较高。
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公开(公告)号：CN101311350B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810101190.0
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维中空结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101311347B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810101187.9
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。本发明还提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101311350A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810101190.0
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维中空结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101311348B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810101188.3
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋脊长度和底面长方形的宽度的和，特别的，当屋顶形的屋脊长度为零时，该屋顶形退化为正四棱锥形，也可以称为金字塔形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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