公开(公告)号：CN101179095A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710177249.X

申请日：2007-11-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  许诺 ,  刘晓彦 ,  宋云成 ,  刘力锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该器件包括：源区、漏区和控制栅，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层—隧穿氧化层；中间层—阻变材料层，以及顶层—导电电极层。该场效应晶体管获得电可编程的多阈值功能，在栅极加相同的读电压时，源、漏电流不同，实现两个不同状态的信息存储或其他功能。利用本发明可构成多种新功能、高性能、高可靠性器件和电路，满足不同的电路功能应用；同时，既可以采用与传统的PN结源/漏结构的CMOS工艺兼容，也可与采用新型的肖特基结源/漏结构的CMOS工艺兼容，具有较大的工艺选择的灵活性。

公开(公告)号：CN101179095B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200710177249.X

申请日：2007-11-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  许诺 ,  刘晓彦 ,  宋云成 ,  刘力锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该器件包括：源区、漏区和控制栅，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层-隧穿氧化层；中间层-阻变材料层，以及顶层-导电电极层。该场效应晶体管获得电可编程的多阈值功能，在栅极加相同的读电压时，源、漏电流不同，实现两个不同状态的信息存储或其他功能。利用本发明可构成多种新功能、高性能、高可靠性器件和电路，满足不同的电路功能应用；同时，既可以采用与传统的PN结源/漏结构的CMOS工艺兼容，也可与采用新型的肖特基结源/漏结构的CMOS工艺兼容，具有较大的工艺选择的灵活性。