公开(公告)号：CN102353886B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201110188149.3

申请日：2011-07-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  黄欣 ,  林增明 ,  诸葛菁 ,  樊捷闻 ,  姜子臻

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管自加热效应的温度的测量方法。本发明的测量方法使用亚阈电流作为温度计，通过编写栅端、源端和漏端的偏压波形，使器件电流在亚阈电流Isub和开态电流Ion之间切换，电流方向在源端和漏端之间切换，检测亚阈电流的变化值，最终得到源端和漏端的温度。本发明的测量方法简单，可以得到晶体管正常工作时源端和漏端的温度，以及晶体管正常工作时，晶体管的自加热效应导致晶体管的源区和漏区的温度提高的大小，且不需要设计特殊的测试结构。此外，该测量方法还能用于表征晶体管间热耦合对晶体管的源端和漏端的温度的影响。测试得到的源端和漏端的温度能够有效用于晶体管的可靠性及性能的分析中，有利于晶体管及芯片的设计及优化。

公开(公告)号：CN102353887B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201110273484.3

申请日：2011-09-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  姜子臻 ,  黄欣 ,  王润声 ,  孙帅

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种微纳米尺度圆形边界界面热阻的测量方法，设计了辅助器件结构，包括圆柱内芯和内芯外包裹的第一圆环、第二圆环，第一圆环与第二圆环形成的圆形边界即为待测界面的等效界面，从而将晶向、尺寸等影响统一考虑，取等效界面热阻，从而简化界面热效应相关计算，建立了一个简易的模型研究热效应。通过改变第一圆环和第二圆环的材料，可以测量不同材料的圆形边界界面热阻。根据得到的等效热阻，可以就热效应对环栅器件的影响进行建模分析。

公开(公告)号：CN102353887A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110273484.3

申请日：2011-09-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  姜子臻 ,  黄欣 ,  王润声 ,  孙帅

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种微纳米尺度圆形边界界面热阻的测量方法，设计了辅助器件结构，包括圆柱内芯和内芯外包裹的第一圆环、第二圆环，第一圆环与第二圆环形成的圆形边界即为待测界面的等效界面，从而将晶向、尺寸等影响统一考虑，取等效界面热阻，从而简化界面热效应相关计算，建立了一个简易的模型研究热效应。通过改变第一圆环和第二圆环的材料，可以测量不同材料的圆形边界界面热阻。根据得到的等效热阻，可以就热效应对环栅器件的影响进行建模分析。

公开(公告)号：CN102353886A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110188149.3

申请日：2011-07-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  黄欣 ,  林增明 ,  诸葛菁 ,  樊捷闻 ,  姜子臻

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管自加热效应的温度的测量方法。本发明的测量方法使用亚阈电流作为温度计，通过编写栅端、源端和漏端的偏压波形，使器件电流在亚阈电流Isub和开态电流Ion之间切换，电流方向在源端和漏端之间切换，检测亚阈电流的变化值，最终得到源端和漏端的温度。本发明的测量方法简单，可以得到晶体管正常工作时源端和漏端的温度，以及晶体管正常工作时，晶体管的自加热效应导致晶体管的源区和漏区的温度提高的大小，且不需要设计特殊的测试结构。此外，该测量方法还能用于表征晶体管间热耦合对晶体管的源端和漏端的温度的影响。测试得到的源端和漏端的温度能够有效用于晶体管的可靠性及性能的分析中，有利于晶体管及芯片的设计及优化。