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公开(公告)号：CN118732156A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410973745.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明适用于光通信技术领域，公开了一种基于薄膜铌酸锂单次刻蚀形成的亚波长光栅结构端面耦合器，包括石英衬底、化学气相沉积二氧化硅、薄膜铌酸锂底板、刻蚀形成的薄膜铌酸锂脊形波导、化学气相沉积二氧化硅上包层；所述刻蚀形成的薄膜铌酸锂脊形波导包括：等宽同周期亚波长光栅区域、宽度呈倒锥形渐变的亚波长光栅区域、亚波长光栅填充缓冲区域以及缓冲区域内部的倒锥形波导。本发明引入亚波长光栅结构，通过改变波导折射率，匹配光纤中的对称导向模式和薄膜铌酸锂脊形波导模式，完成模场的转换。本发明具有带宽高、尺寸紧凑、工艺简单稳定等特点，可广泛应用于各类薄膜铌酸锂器件的输入输出端面，如薄膜铌酸锂电光调制器。
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