-
公开(公告)号:CN112599798A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011488002.1
申请日:2020-12-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种NaBH4海绵及其制备方法,将过渡金属盐催化剂与NaBH4材料混合,并同时溶解于胺类有机溶剂中,均匀混合,填充于海绵内部,待所述海绵中溶剂完全去除后,得到NaBH4海绵,所述NaBH4材料和所述过渡金属盐催化剂在纳米尺度上均匀混合于所述NaBH4海绵内部。向NaBH4海绵加水时,NaBH4在催化剂的作用下迅速发生水解反应,海绵的吸水作用能够使水快速有效的传输,体系中各部分与水均匀接触,使得产生氢气的速率更加稳定。
-
公开(公告)号:CN103618212B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201310665266.3
申请日:2013-12-10
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先,通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层,然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次,通过背向曝光技术实现第二次光刻,挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光,实现光刻图形。最后,根据负性光敏性热固化涂层胶的性质,通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。
-
-
-
公开(公告)号:CN112762715B
公开(公告)日:2021-12-14
申请号:CN202011492717.4
申请日:2020-12-16
Applicant: 北京大学 , 中国船舶重工集团公司第七一二研究所
Abstract: 本发明公开了一种Mg‑C纳米复合储氢材料的制备装置和制备方法,Mg‑C纳米复合储氢材料的制备装置,包括一个管式炉系统,管式炉内设有石英管,石英管内部设有一个石墨套管用于放置镁,在石英管上靠近气体出口的一侧外套有电感线圈,电感线圈连接有射频电源,石墨套管内放置镁的位置与套有电感线圈的位置之间为产品收集区域;Mg‑C纳米复合储氢材料的制备方法,包括以下步骤:在石墨套管内放入镁,使用氩气冲洗石英管;石英管内通入氩气—烃类气体—氢气的混合气体;启动管式炉系统,加热石英管,使石墨套管内产生镁的蒸气;启动射频电源,烃类气体分解产生碳,产品收集区域处实现镁与碳的均匀复合,形成Mg‑C纳米复合储氢材料。
-
公开(公告)号:CN112599798B
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202011488002.1
申请日:2020-12-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种NaBH4海绵及其制备方法,将过渡金属盐催化剂与NaBH4材料混合,并同时溶解于胺类有机溶剂中,均匀混合,填充于海绵内部,待所述海绵中溶剂完全去除后,得到NaBH4海绵,所述NaBH4材料和所述过渡金属盐催化剂在纳米尺度上均匀混合于所述NaBH4海绵内部。向NaBH4海绵加水时,NaBH4在催化剂的作用下迅速发生水解反应,海绵的吸水作用能够使水快速有效的传输,体系中各部分与水均匀接触,使得产生氢气的速率更加稳定。
-
公开(公告)号:CN112762715A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202011492717.4
申请日:2020-12-16
Applicant: 北京大学 , 中国船舶重工集团公司第七一二研究所
Abstract: 本发明公开了一种Mg‑C纳米复合储氢材料的制备装置和制备方法,Mg‑C纳米复合储氢材料的制备装置,包括一个管式炉系统,管式炉内设有石英管,石英管内部设有一个石墨套管用于放置镁,在石英管上靠近气体出口的一侧外套有电感线圈,电感线圈连接有射频电源,石墨套管内放置镁的位置与套有电感线圈的位置之间为产品收集区域;Mg‑C纳米复合储氢材料的制备方法,包括以下步骤:在石墨套管内放入镁,使用氩气冲洗石英管;石英管内通入氩气—烃类气体—氢气的混合气体;启动管式炉系统,加热石英管,使石墨套管内产生镁的蒸气;启动射频电源,烃类气体分解产生碳,产品收集区域处实现镁与碳的均匀复合,形成Mg‑C纳米复合储氢材料。
-
公开(公告)号:CN103618212A
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN201310665266.3
申请日:2013-12-10
Applicant: 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先,通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层,然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次,通过背向曝光技术实现第二次光刻,挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光,实现光刻图形。最后,根据负性光敏性热固化涂层胶的性质,通过高温固化手段得到结构完整规则的绝缘层。本发明的特点在于同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层开窗口条件难于掌控的问题。
-
-
-
-
-
-
-