-
公开(公告)号：CN102419217B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110241103.3
申请日：2011-08-22
Applicant: 北京大学
IPC: G01K7/04
Abstract: 本发明提供一种金属薄膜微米尺度热电偶器件，该热电偶器件包括绝缘基片，在绝缘基片上附着有一金属薄膜热电偶或多个金属薄膜热电偶构成的热电偶阵列，其中金属薄膜热电偶为单种金属的两条对折薄膜，其中，窄条带的宽度小于20微米，另一条宽条带的宽度大于100微米。与现有技术相比，本发明是一种制备简易，能够实现对微米尺度的局域温度进行测量的热电偶器件。并通过组合成阵列形式使用，可以实现对与热电偶阵列所接触的平面上的温度分布进行表征。
-
公开(公告)号：CN102009941B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201010500889.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备微纳米流体系统的方法。该方法，包括如下步骤：1)在基底上制备薄膜热电偶阵列，得到薄膜热电偶阵列层；2)在所述步骤1)制备得到的薄膜热电偶阵列层上制备一层绝缘层a，并在所述绝缘层之上制备一层场调制层；3)在所述步骤2)制备得到的场调制层上制备一层绝缘层b，并将所述绝缘层b上制备一层微纳米通道层，封装后得到所述微纳米流体系统。本发明制作的微纳米流体测试系统带有局域温度测量与控制、可进行直流及高频电磁测量。该系统功能多样、结构紧凑且测试精度高，在物理、化学、生物等研究领域都有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102009941A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010500889.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备微纳米流体系统的方法。该方法，包括如下步骤：1)在基底上制备薄膜热电偶阵列，得到薄膜热电偶阵列层；2)在所述步骤1)制备得到的薄膜热电偶阵列层上制备一层绝缘层a，并在所述绝缘层之上制备一层场调制层；3)在所述步骤2)制备得到的场调制层上制备一层绝缘层b，并将所述绝缘层b上制备一层微纳米通道层，封装后得到所述微纳米流体系统。本发明制作的微纳米流体测试系统带有局域温度测量与控制、可进行直流及高频电磁测量。该系统功能多样、结构紧凑且测试精度高，在物理、化学、生物等研究领域都有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102419217A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110241103.3
申请日：2011-08-22
Applicant: 北京大学
IPC: G01K7/04
Abstract: 本发明提供一种金属薄膜微米尺度热电偶器件，该热电偶器件包括绝缘基片，在绝缘基片上附着有一金属薄膜热电偶或多个金属薄膜热电偶构成的热电偶阵列，其中金属薄膜热电偶为单种金属的两条对折薄膜，其中，窄条带的宽度小于20微米，另一条宽条带的宽度大于100微米。与现有技术相比，本发明是一种制备简易，能够实现对微米尺度的局域温度进行测量的热电偶器件。并通过组合成阵列形式使用，可以实现对与热电偶阵列所接触的平面上的温度分布进行表征。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.02 seconds)
