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公开(公告)号：CN116540974A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310306171.6
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种基于阻变器件的全加器，基于阻变器件的全加器包括全加器电路，全加器电路包括多个阻变器件和正极总线；全加器电路中，每一个阻变器件的一端均与正极总线连接，每一个阻变器件的另一端与其负极字线连接，用于以二进制方式将每一个阻变器件的器件阻态表示为高阻态或低阻态。本发明实施例提供的基于阻变器件的全加器将全加器电路中所有阻变器件的器件阻态以二进制方式表示，即将全加器电路中所有阻变器件的器件阻态为高阻态的表示为真值1，所有阻变器件的器件阻态为低阻态的表示为真值0，实现了断掉后数据不丢失，重启后数据即可获取恢复，从而通过使用阻变器件实现了计算器中的计算单元具有非挥发性。
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公开(公告)号：CN119156021A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411020464.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，提供一种阻变存储器件及阻变存储器件的制备方法，该阻变存储器件包括底电极、第一介质层、第一顶电极、第二介质层，第二顶电极；第一介质层设于底电极上；第一顶电极设于第一介质层上，且第一顶电极具有至少一个空穴；第二介质层设于空穴中，且第二介质层的厚度低于空穴的深度；第二顶电极，设于第二介质层上，且第二顶电极的至少一部分与第一顶电极的上表面接触。本发明能够使得第一顶电极与介质层的接触面积增大，较大的接触面积可以提供更多的电流通路，有利于实现更稳定和均匀的电流传输，这有助于提高器件的可靠性和性能一致性，且较大的接触面积可以提供更广泛的电流分布，有利于实现更可靠的电阻切换特性。
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公开(公告)号：CN118019350A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311839117.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，提供一种四电极结构的阻变存储器及其制备方法，该四电极结构的阻变存储器包括底电极、介质层和顶电极，介质层设于底电极上；顶电极设于介质层上，且顶电极完全覆盖介质层；其中，顶电极包括四块不同材质的金属单元。本发明的四电极结构的阻变存储器通过将顶电极设置为多个不同材质的金属单元，使得不同材料的顶电极能够同时与同一材质的介质层实现接触，不同材料的顶电极与介质层接触能够实现不同的界面势垒结构、界面反应、储存离子能力等特性，从而控制氧离子或金属阳离子在电极与介质界面处的储存和注入行为，有助于改善器件的阻变特性。
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公开(公告)号：CN113592080A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110734346.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于阻变器件的神经元树突的操作方法及装置，其中方法包括：确定单个阻变器件的神经元树突结构；其中，所述神经元树突结构包括顶电极、阻变介质层和底电极；基于所述阻变器件固有的阈值电压对所述神经元树突结构的顶电极和底电极进行外加电压：当外加电压超过所述阈值电压时，通过所述外加电压使得所述神经元树突结构的阻变介质层形成导电通道，以实现非线性信号整流；在所述神经元树突结构的阻变介质层形成的导电通道处于断开状态下，当外加电压不超过所述阈值电压时，通过所述外加电压使得所述神经元树突结构的阻变介质层无法形成导电通道，以实现噪声信号的过滤。本发明实现了神经形态计算时功耗降低及计算灵活性提升。
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公开(公告)号：CN119730714A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411911292.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种易失型阻变器件及其制备方法，该阻变器件为氧空位型易失型阻变器件，包括依次层叠的第一电极层、缓冲层、阻变层和第二电极层，其中，第一电极层材料为过渡金属，缓冲层材料为该过渡金属对应的氧化物；阻变层相对于缓冲层具有更高的氧空位浓度。在器件制备过程中，通过调节氧分压或氧的气氛浓度，使生长的阻变层中存在大量的氧空位缺陷，在阻变层和缓冲层之间形成氧空位浓度差，有利于降低操作电压，降低器件功耗；并且，使用金属氧化物靶材生长缓冲层，有利于提高制备的均一性，提高器件电学稳定性。本发明的阻变器件具有优异的低功耗特性以及稳定性，在人工智能、神经形态计算等领域有良好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN119156022A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411020584.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，提供一种阻变存储器件及制备方法，该阻变存储器件包括底电极、第一介质层、第二介质层和顶电极；第一介质层设于底电极上，且第一介质层上具有至少一个空穴；第二介质层设于空穴底部，第二介质层的底面与底电极相接；顶电极设于空穴中，顶电极的至少一部分与第一介质层的上表面接触。本发明增加了顶电极与介质层的接触面积，较大的接触面积可以提供更多的电流通路，有利于实现更稳定和均匀的电流传输，这有助于提高器件的可靠性和性能一致性，且较大的接触面积可以提供更广泛的电流分布，有利于实现更可靠的电阻切换特性。
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