拟南芥AtTCP5基因及其在调控株高上的应用

    公开(公告)号:CN110628808A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201810570304.X

    申请日:2018-06-05

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了拟南芥AtTCP5基因及其在调控植物株高上的应用。AtTCP5基因编码SEQ ID No.1所示氨基酸序列的蛋白质,其表达量和/或活性会影响植物细胞增殖,其中过表达AtTCP5的植株有株高明显变矮的表型,从而实现对植物株高的调控。本发明涉及的AtTCP5基因在植物株高调控中有广泛的应用价值,利用该基因进行分子育种有望培育出具有实际生产应用价值的抗倒伏植物。

    拟南芥AtTCP5基因及其在调控株高上的应用

    公开(公告)号:CN110628808B

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201810570304.X

    申请日:2018-06-05

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了拟南芥AtTCP5基因及其在调控植物株高上的应用。AtTCP5基因编码SEQ ID No.1所示氨基酸序列的蛋白质,其表达量和/或活性会影响植物细胞增殖,其中过表达AtTCP5的植株有株高明显变矮的表型,从而实现对植物株高的调控。本发明涉及的AtTCP5基因在植物株高调控中有广泛的应用价值,利用该基因进行分子育种有望培育出具有实际生产应用价值的抗倒伏植物。

    一种用于弱光探测的钙钛矿量子点光电晶体管及制备方法

    公开(公告)号:CN110364625A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910525986.7

    申请日:2019-06-18

    Inventor: 周航 于浩

    Abstract: 本发明实施例提供一种用于弱光探测的钙钛矿量子点光电晶体管,其特征在于,包括:上表面水平的基础衬底;栅电极位于基础衬底上;栅介电层和基础衬底全包围栅电极,且投影面积等于基础衬底;金属氧化物半导体薄膜位于栅介电层上;源漏金属电极位于栅介电层和金属氧化物半导体薄膜上;电荷传输界面层位于源漏金属电极中间;钙钛矿量子点材料层位于电荷传输界面层正上方且完全覆盖电荷传输界面层;金属氧化物半导体薄膜、电荷传输界面层薄膜、钙钛矿量子点材料层投影面积等于栅电极。

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