一种提高磁控溅射平面靶材利用率的方法及装置

    公开(公告)号:CN104498886A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410785414.X

    申请日:2014-12-17

    CPC classification number: C23C14/35

    Abstract: 本发明公开了一种用于提高磁控溅射平面靶材利用率的方法及装置。本申请采用靶材固定、阴极移动的设计。将绑定在背板上的平面靶材用压靶框固定在阴极背板上,阴极背板固定有靶材的一侧置于真空腔室内。排满磁铁的磁轭为磁控溅射提供稳定的磁场,在电机的带动下装有滑动轴承的磁轭在导轨上匀速往复运动,通过光电、行程开关的配合精确调整磁轭的移动速度和行程。本申请通过靶材固定阴极移动的方式拓宽了靶材表面的可溅射区域,提高了平面靶材利用率。阴极整体设计简单装配方便,其与基片架保持一定的相对速度进而保证溅射薄膜的均匀性。

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