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公开(公告)号：CN115709070B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211389874.1
申请日：2022-11-08
申请人： 北京化工大学
摘要： 本发明公开了一种用于二氧化碳还原反应的光催化剂及其制备方法，涉及催化剂制备技术领域。本发明的缺陷态NiVoTiVo‑LDH光催化剂通过以下方法制备得到：采用尿素共沉淀法合成层状ZnNiAlTi‑LDH，之后通过碱刻蚀除去层状ZnNiAlTi‑LDH中的Zn和Al元素。本发明进行缺陷化处理后，相比于传统的NiTi‑LDH(Ni2+和Ti3+)，其金属价态发生明显变化，产生大量金属空位，相应的光催化活性也显著提升，该催化材料用于光催化CO2还原生成CH4具有高产率和高选择性。
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公开(公告)号：CN103374153A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310270147.8
申请日：2013-06-30
申请人： 北京化工大学
IPC分类号： C08L9/04 , C08L9/08 , C08L7/02 , C08C1/16 , C08K13/02 , C08K3/26 , C08K3/22 , C08K5/09 , C08K3/06 , C08L9/02 , C08L9/06 , C08L7/00
摘要： 一种超分子/橡胶气密材料的制备方法，目的在于提供一种利用超分子镁铝水滑石（LDHs）提高橡胶气体阻隔性能的方法。该方法是用LDHs作为填料，添加到橡胶中，采用乳液复合法或机械共混法制备出水滑石与橡胶的复合物。主要组分的质量份数为：基体橡胶材料100份；LDHs：0.2～40份。基体橡胶材料为橡胶乳液或固态橡胶，LDHs为超分子镁铝水滑石。将LDHs填充到橡中胶可以获得气体阻隔性能优良的复合材料。
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公开(公告)号：CN117225420A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311271891.X
申请日：2023-09-28
申请人： 北京化工大学
摘要： 本发明公开了一种用于还原低浓度二氧化碳的光催化剂及其制备方法，属于催化剂制备技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将钴源和二甲基咪唑在有机溶剂中溶解后，得到溶液A，反应，得到的沉淀物即所述菱形十二面体Co‑金属有机框架；将镍源和铝源溶解在有机溶剂中，再与所述菱形十二面体Co‑金属有机框架混合，得到溶液B，反应，得到的沉淀物即所述中空多级CoNiAl‑LDHs光催化剂。本发明以菱形十二面体Co‑金属有机框架作为模板，通过自刻蚀方法引入Ni、Al，构筑了含有不同电子态的中空多级CoNiAl‑LDHs纳米花状光催化剂，在生产应用上，本发明制备方法简单新颖，合成成本低，易于批量生产，有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN116371352A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310331781.1
申请日：2023-03-31
申请人： 北京化工大学
摘要： 本发明涉及无机复合功能材料技术领域，具体涉及一种含钙水滑石‑蛭石复合材料及其制备方法和应用。本发明利用水滑石原位生长的机理，将AlOOH/蛭石与含有钙离子、镁离子和尿素混合金属盐溶液进行水热反应，利用蛭石的膨胀体积大且表面层板易带负电的优势，使得水滑石均匀原位生长在膨胀蛭石表面，解决了传统水滑石材料在流动水体中易团聚、高损失的缺点。而且，本发明制备得到的含钙水滑石‑蛭石复合材料中钙离子的存在能够与镍离子发生晶格取代作用，进而大大提高了对镍离子的选择性吸附性能，尤其是对于低浓度的镍离子的选择性吸附具有明显的优势；同时，膨胀蛭石本身也具有一定的吸附镍离子的能力，提升了水滑石对镍离子的吸附性能。
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公开(公告)号：CN104788704A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510219615.8
申请日：2015-05-02
申请人： 北京化工大学
IPC分类号： C08J7/04 , C09D105/08 , C09D133/26 , C09D171/02 , C09D7/12 , C08L67/02 , C08L23/06 , C08L75/04
摘要： 本发明公开了一种多级结构水滑石的制备及其在阻气包装材料中的应用。本发明首先利用水滑石的“记忆效应”，通过焙烧复原方法制备具有多级结构的水滑石，然后采用交替旋转涂膜技术，将多级结构水滑石和聚合物复合成膜，其中多级结构水滑石不仅能够在纵向和横向抑制氧气分子的扩散，有效的延长氧气分子的扩散路径，而且其表面氧空位对氧气存在强烈的化学吸附作用，是一种具有优异的氧气阻隔性能、热稳定性、机械稳定性及储存稳定性的阻气包装材料。本发明原料来源广泛，成本低廉，满足环保和可持续发展的要求。因此，该基于特殊结构水滑石材料制备的阻隔包装材料在食品、药品以及电子器件封装等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN118847227A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410905904.2
申请日：2024-07-08
申请人： 北京化工大学
摘要： 本发明公开了一种用于低浓度CO2还原的光催化剂的制备方法及应用，属于催化剂制备技术领域。本发明首先通过共沉淀法制备Co‑MHOF前驱体，随后经NaBH4还原刻蚀，通过控制NaBH4还原浓度和还原时间，最终制得一系列含不同氧空位浓度和活性金属不同价态比例的Hv‑Co‑MHOF光催化剂。所合成的Hv‑Co‑MHOF光催化剂具有比表面积大、层间π‑π堆叠等特点，有利于低浓度CO2的有效富集和光生电子的传输及可见光的吸收；经NaBH4还原处理后，Co3+与Co2+比例和氧空位浓度均发生了变化，进而导致光催化活性的显著提升，有利于模拟太阳光下低浓度CO2高效高选择性催化转换为CH4。
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公开(公告)号：CN118084079A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410214833.1
申请日：2024-02-27
申请人： 北京化工大学
摘要： 本发明公开了一种聚酯类塑料回收转化为插层层状高熵水滑石用于高效光催化CO2还原的方法，属于塑料化学回收升级转换精细化工品领域。所述利用聚酯类塑料制备高熵水滑石的方法包括以下步骤：将聚酯类塑料放入碱液中，反应，得到溶液A；将所述溶液A与高熵金属盐混合，反应，所得固体即为所述高熵水滑石。本发明将高熵LDHs用于光催化CO2还原，由于高熵LDHs的层间阴离子使得层间距扩展，可以有效吸附CO2和加速传质性能；同时LDHs中多金属引起的高熵效应有效地促进了电子空穴的传递，促进了光催化CO2为CH4和CO的转化效率，性能优势明显。
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公开(公告)号：CN115715983B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202211327908.4
申请日：2022-10-27
申请人： 北京化工大学
IPC分类号： B01J23/825 , B01J37/10 , B01J37/08 , C07C51/09 , C07C59/08
摘要： 本发明公开了一种三元异质结光催化剂及其制备方法和在催化转化PLA塑料中的应用，涉及催化剂和塑料化学回收技术领域。该光催化剂为ZnO/In2O3/MOx三元异质结光催化剂，M为过渡金属Fe或Co元素，MOx为Fe2O3或Co3O4，通过对水热法制备的MZnIn三元LDH前驱体进行焙烧制备得到。本发明制备的光催化剂能实现对塑料PLA的快速催化转化，相较于传统的化学回收技术，具有操作简便、价格低廉、催化效率高、绿色环保等优势，易于批量生产，展现出广阔的商业应用价值。(56)对比文件Taylor Uekert等.Photoreforming ofNonrecyclable Plastic Waste over a CarbonNitride/Nickel Phosphide Catalyst.《Journal of American Chemical Society》.2019,第141卷(第38期),第15201-15210页.
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公开(公告)号：CN102610393B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210082778.2
申请日：2012-03-26
申请人： 北京化工大学
IPC分类号： H01G9/042
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 本发明公开了属于超电容材料制备技术领域的一种水滑石-聚(3，4-乙撑二氧噻吩)核壳结构超电容材料及其制备方法。该超电容材料由电化学活性的水滑石和具有良好导电性的聚(3，4-乙撑二氧噻吩)组成。其制备方法：首先制备水滑石阵列薄膜，然后采用电化学沉积法在水滑石纳米晶阵列上包覆一层聚(3，4-乙撑二氧噻吩)，形成核壳结构。本发明的优点在于：阵列结构的水滑石纳米晶可有效抑制活性组分的聚集，并且为电子的传递提供了通道，保证了快速充放电过程中电子的有效转移；聚(3，4-乙撑二氧噻吩)壳层的引入改善了常规赝电容材料倍率性能差的缺点。
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公开(公告)号：CN102610393A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210082778.2
申请日：2012-03-26
申请人： 北京化工大学
IPC分类号： H01G9/042
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 本发明公开了属于超电容材料制备技术领域的一种水滑石-聚(3,4-乙撑二氧噻吩)核壳结构超电容材料及其制备方法。该超电容材料由电化学活性的水滑石和具有良好导电性的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)组成。其制备方法：首先制备水滑石阵列薄膜，然后采用电化学沉积法在水滑石纳米晶阵列上包覆一层聚(3,4-乙撑二氧噻吩)，形成核壳结构。本发明的优点在于：阵列结构的水滑石纳米晶可有效抑制活性组分的聚集，并且为电子的传递提供了通道，保证了快速充放电过程中电子的有效转移；聚(3,4-乙撑二氧噻吩)壳层的引入改善了常规赝电容材料倍率性能差的缺点。
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