-
公开(公告)号：CN106905551B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710070396.0
申请日：2017-02-09
申请人： 北京化工大学
摘要： 本发明涉及一种反蛋白石结构温度感应材料及其制备方法。利用反蛋白石光子晶体的多孔微结构，将温度感应物质选择性填充在反蛋白石的多孔微结构中，并将其封装，继而得到温度感应材料。根据填充的温度感应物质不同，在不同温度下温度感应材料显示不同颜色。本发明制备的反蛋白石温度感应材料具有高柔性、高敏感度，制备工艺简单，可控性强，易于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN106905551A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710070396.0
申请日：2017-02-09
申请人： 北京化工大学
CPC分类号： C08J7/04 , C08F2/48 , C08J5/18 , C08J9/26 , C08K5/101 , C08K5/109 , C09D4/00 , G01K13/00 , G01K13/002
摘要： 本发明涉及一种反蛋白石结构温度感应材料及其制备方法。利用反蛋白石光子晶体的多孔微结构，将温度感应物质选择性填充在反蛋白石的多孔微结构中，并将其封装，继而得到温度感应材料。根据填充的温度感应物质不同，在不同温度下温度感应材料显示不同颜色。本发明制备的反蛋白石温度感应材料具有高柔性、高敏感度，制备工艺简单，可控性强，易于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN102731141B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110085742.5
申请日：2011-04-07
申请人： 北京化工大学
IPC分类号： C04B41/48
摘要： 本发明提供了聚苯胺/n-型单晶硅复合电极材料及其制备方法。该聚苯胺/n-型单晶硅复合材料，为磺化聚苯胺体系通过苯环上的C原子与单晶硅表面的Si原子以Si-C共价键的形式与单晶硅表面相连。其制备方法是将对溴苯胺嫁接到单晶硅表面，再以此为基底材料通过聚合反应制备聚苯胺/n-型复合电极，并在聚合有机链的苯环上链接磺酸根，最终得到磺酸修饰的聚苯胺/n-型单晶硅复合材料。该材料在模拟太阳光的照射下，光电流密度值可以达到3.446mA·cm-2，开路电压达到-0.300V。
-
公开(公告)号：CN107672171A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710384635.X
申请日：2017-05-26
申请人： 佛山市中山大学研究院 , 中山大学 , 北京化工大学
IPC分类号： B29C64/255
摘要： 本发明公开了一种DLP型3D打印单向透视树脂槽，包括底座和槽体，所述底座和槽体之间设置有单向透视层，其中：所述槽体包括槽壁和设置在槽壁内的无色透明硬质高分子基材薄膜；所述单向透视层包括依次叠放连接的光学石英玻璃和单向透视薄膜结构，或者所述单向透视层包括单向透视玻璃；所述底座包括塑料板和设置塑料板内的无色透明光学石英玻璃；光源发出的光首先从底座的无色透明光学石英玻璃射入，然后进入到具有单向透视原理的单向透视层，再进入到槽体的无色透明硬质高分子基材薄膜最后进入到树脂层。本发明提高了树脂的打印精度。
-
公开(公告)号：CN118772371A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410958578.1
申请日：2024-07-17
申请人： 北京化工大学
摘要： 本发明涉及一种聚氨酯，具体涉及一种聚异戊二烯基聚氨酯及其制备方法。本发明将液体的双端羟基异戊二烯作为软段引入聚氨酯体系。液体的双端羟基异戊二烯具有较高的不饱和度，将其作为软段可以改善聚氨酯材料的柔韧性和低温性能，使聚氨酯材料具有更低的玻璃化转变温度，更低的玻璃化转变温度带来了更广泛的应用范围。同时，液体的双端羟基异戊二烯分子链上的不饱和双键还可以提供化学改性位点，从而实现聚氨酯材料性能调控。本发明可以通过调控软段分子量、硬段含量、扩链剂与交联剂比例，对双端羟基异戊二烯基聚氨酯微观形态和宏观性能的进行调控，为设计高性能聚异戊二烯基聚氨酯弹性体提供了重要的实验依据和理论指导。
-
公开(公告)号：CN102731141A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110085742.5
申请日：2011-04-07
申请人： 北京化工大学
IPC分类号： C04B41/48
摘要： 本发明提供了聚苯胺/n-型单晶硅复合电极材料及其制备方法。该聚苯胺/n-型单晶硅复合材料，为磺化聚苯胺体系通过苯环上的C原子与单晶硅表面的Si原子以Si-C共价键的形式与单晶硅表面相连。其制备方法是将对溴苯胺嫁接到单晶硅表面，再以此为基底材料通过聚合反应制备聚苯胺/n-型复合电极，并在聚合有机链的苯环上链接磺酸根，最终得到磺酸修饰的聚苯胺/n-型单晶硅复合材料。该材料在模拟太阳光的照射下，光电流密度值可以达到3.446mA·cm-2，开路电压达到-0.300V。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.041 秒)
