公开(公告)号：CN106844860B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201611192363.5

申请日：2016-12-21

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 殷树娟 ,  刘兴

IPC: G06F30/3308

Abstract: 一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，获取费米能级与栅电压的关系模型；根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容；根据所述单位面积栅电容分别获取三栅FinFet器件的顶面的栅电容和侧面的栅电容，进而获取总的栅电容。本方案简化了求单位面积栅电容方法。

公开(公告)号：CN106844860A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611192363.5

申请日：2016-12-21

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 殷树娟 ,  刘兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，获取费米能级与栅电压的关系模型；根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容；根据所述单位面积栅电容分别获取三栅FinFet器件的顶面的栅电容和侧面的栅电容，进而获取总的栅电容。本方案简化了求单位面积栅电容方法。