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公开(公告)号：CN109450413A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811317324.2
申请日：2018-11-07
Applicant: 北京京航计算通讯研究所
Abstract: 本发明属于强电磁脉冲技术领域，具体涉及一种模拟复杂电磁环境下的高压双指数波脉冲源。所述高压双指数波脉冲源包括：直流高压发生装置G、充电限流电阻R1、储能电容C1、气动高压开关K、水电阻R2和放电电容C2；其中，Z为放电回路中的寄生阻抗，与水电阻R2、放电电容C2一起构成放电回路；本发明技术方案采用高电压等级的电容放电双指数波脉冲源方案，产生具有丰富的高频成份及低频直流成分的高压双指数波脉冲信号。高压双指数波脉冲信号作为注入源向电子系统注入不同参数的脉冲电流，验证电子系统的电磁脉冲效应分析情况，对电子系统各端口的毁伤电流阈值进行摸底；强电磁脉冲加固后，通过脉冲电流注入试验验证加固后的防护性能。
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公开(公告)号：CN109450413B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201811317324.2
申请日：2018-11-07
Applicant: 北京京航计算通讯研究所
Abstract: 本发明属于强电磁脉冲技术领域，具体涉及一种模拟复杂电磁环境下的高压双指数波脉冲源。所述高压双指数波脉冲源包括：直流高压发生装置G、充电限流电阻R1、储能电容C1、气动高压开关K、水电阻R2和放电电容C2；其中，Z为放电回路中的寄生阻抗，与水电阻R2、放电电容C2一起构成放电回路；本发明技术方案采用高电压等级的电容放电双指数波脉冲源方案，产生具有丰富的高频成份及低频直流成分的高压双指数波脉冲信号。高压双指数波脉冲信号作为注入源向电子系统注入不同参数的脉冲电流，验证电子系统的电磁脉冲效应分析情况，对电子系统各端口的毁伤电流阈值进行摸底；强电磁脉冲加固后，通过脉冲电流注入试验验证加固后的防护性能。
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公开(公告)号：CN109495089B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201811317435.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 北京京航计算通讯研究所
Abstract: 本发明属于强电磁脉冲技术领域，具体涉及一种模拟复杂电磁环境下的高压双指数波脉冲源生成方法，该方法基于生成装置来实施，所述装置包括：直流高压发生装置、充电限流电阻、储能电容、气动高压开关、水电阻和放电电容；其中，为放电回路中的寄生阻抗，与水电阻、放电电容一起构成放电回路；本发明技术方案采用高电压等级的电容放电双指数波脉冲源方案，产生具有丰富的高频成份及低频直流成分的高压双指数波脉冲信号。高压双指数波脉冲信号作为注入源向电子系统注入不同参数的脉冲电流，验证电子系统的电磁脉冲效应分析情况，对电子系统各端口的毁伤电流阈值进行摸底；强电磁脉冲加固后，通过脉冲电流注入试验验证加固后的防护性能。
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公开(公告)号：CN109495089A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811317435.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 北京京航计算通讯研究所
Abstract: 本发明属于强电磁脉冲技术领域，具体涉及一种模拟复杂电磁环境下的高压双指数波脉冲源生成方法，该方法基于生成装置来实施，所述装置包括：直流高压发生装置、充电限流电阻、储能电容、气动高压开关、水电阻和放电电容；其中，为放电回路中的寄生阻抗，与水电阻、放电电容一起构成放电回路；本发明技术方案采用高电压等级的电容放电双指数波脉冲源方案，产生具有丰富的高频成份及低频直流成分的高压双指数波脉冲信号。高压双指数波脉冲信号作为注入源向电子系统注入不同参数的脉冲电流，验证电子系统的电磁脉冲效应分析情况，对电子系统各端口的毁伤电流阈值进行摸底；强电磁脉冲加固后，通过脉冲电流注入试验验证加固后的防护性能。
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