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公开(公告)号:CN101915984A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN201010241163.0
申请日:2010-07-29
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种强激光束的双镜光衰减器,包括相邻两侧壁上分设有进光孔和出光孔的箱体,上、下反射镜;所述下反射镜可旋转地固设在箱体的两相对侧壁上,所述上反射镜可旋转地设置在箱体的另外两相对侧壁上;所述上、下反射镜的旋转轴相互垂直,且分别设置在箱体上的阻尼安装孔中,其中下反射镜的旋转轴与箱体底面平行,上反射镜旋转轴一端固定设置,另一端可垂直箱体底面滑动设置;所述进光孔的孔轴与下反射镜垂直匹配,出光孔与上反射镜匹配。本发明利用双镜特定形式的组合,实现在不改变光束偏振特性、光斑形状特性的前提下,衰减光束强度。
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公开(公告)号:CN102253445B
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201110196811.X
申请日:2011-07-14
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法,属于特种光纤领域,特别涉及单晶光纤的包层结构设计。提出一种具有阶跃折射率包层的单晶光纤,并介绍了其制备方法。该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的,两种不同折射率的材料层(2、3)沿径向交替分布构成的布拉格结构包层,两种材料层各10~20层。该光纤制备方法的特点是使用MCVD法交替沉积两种不同折射率材料,形成高、低折射率层沿径向交替分布的结构。通过加热拉伸,使交替分布结构缩小,最终裹住单晶纤芯,形成布拉格结构包层。该光纤具有阶跃折射率包层,对光的束缚能力强,损耗小。使用该方法可以为不同材料单晶光纤制备阶跃折射率包层,扩展了各种不同材料单晶光纤的应用。
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公开(公告)号:CN101915984B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010241163.0
申请日:2010-07-29
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种强激光束的双镜光衰减器,包括相邻两侧壁上分设有进光孔和出光孔的箱体,上、下反射镜;所述下反射镜可旋转地固设在箱体的两相对侧壁上,所述上反射镜可旋转地设置在箱体的另外两相对侧壁上;所述上、下反射镜的旋转轴相互垂直,且分别设置在箱体上的阻尼安装孔中,其中下反射镜的旋转轴与箱体底面平行,上反射镜旋转轴一端固定设置,另一端可垂直箱体底面滑动设置;所述进光孔的孔轴与下反射镜垂直匹配,出光孔与上反射镜匹配。本发明利用双镜特定形式的组合,实现在不改变光束偏振特性、光斑形状特性的前提下,衰减光束强度。
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公开(公告)号:CN102253445A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201110196811.X
申请日:2011-07-14
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法,属于特种光纤领域,特别涉及单晶光纤的包层结构设计。提出一种具有阶跃折射率包层的单晶光纤,并介绍了其制备方法。该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的,两种不同折射率的材料层(2、3)沿径向交替分布构成的布拉格结构包层,两种材料层各10~20层。该光纤制备方法的特点是使用MCVD法交替沉积两种不同折射率材料,形成高、低折射率层沿径向交替分布的结构。通过加热拉伸,使交替分布结构缩小,最终裹住单晶纤芯,形成布拉格结构包层。该光纤具有阶跃折射率包层,对光的束缚能力强,损耗小。使用该方法可以为不同材料单晶光纤制备阶跃折射率包层,扩展了各种不同材料单晶光纤的应用。
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公开(公告)号:CN102298170B
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201110241812.1
申请日:2011-08-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了属于特种光纤领域的一种微结构包层单晶光纤及制备方法。一种微结构包层单晶光纤,其特征在于,它由纤芯和微结构包层组成,微结构包层围绕在纤芯周围;本发明采用管束堆积、加热拉伸等步骤来制备微结构包层单晶光纤。本发明的有益效果为:1)可以通过改变材料,控制单晶光纤对光束的高阶模式的抑制能力。2)应用广泛,可以为不同材料单晶纤芯制作包层。3)制作时间短,成品率高。
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公开(公告)号:CN102298170A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110241812.1
申请日:2011-08-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了属于特种光纤领域的一种微结构包层单晶光纤及制备方法。一种微结构包层单晶光纤,其特征在于,它由纤芯和微结构包层组成,微结构包层围绕在纤芯周围;本发明采用管束堆积、加热拉伸等步骤来制备微结构包层单晶光纤。本发明的有益效果为:1)可以通过改变材料,控制单晶光纤对光束的高阶模式的抑制能力。2)应用广泛,可以为不同材料单晶纤芯制作包层。3)制作时间短,成品率高。
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