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公开(公告)号：CN102253445A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110196811.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法，属于特种光纤领域，特别涉及单晶光纤的包层结构设计。提出一种具有阶跃折射率包层的单晶光纤，并介绍了其制备方法。该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的，两种不同折射率的材料层(2、3)沿径向交替分布构成的布拉格结构包层，两种材料层各10～20层。该光纤制备方法的特点是使用MCVD法交替沉积两种不同折射率材料，形成高、低折射率层沿径向交替分布的结构。通过加热拉伸，使交替分布结构缩小，最终裹住单晶纤芯，形成布拉格结构包层。该光纤具有阶跃折射率包层，对光的束缚能力强，损耗小。使用该方法可以为不同材料单晶光纤制备阶跃折射率包层，扩展了各种不同材料单晶光纤的应用。
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公开(公告)号：CN101819326B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010149343.6
申请日：2010-04-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种用于形成空心光束的光子晶体光纤耦合器及其制备方法。根据本发明的光子晶体光纤耦合器，包括：其一端作为光子晶体光纤耦合器输入端的单模光纤；其一端作为光子晶体光纤耦合器输出端的环芯光子晶体光纤；其特征在于：该光子晶体光纤耦合器进一步包括环芯光子晶体光纤的另一端与单模光纤另一端的熔接接合区，以便在光子晶体光纤耦合器的输入端接收输入光时在光子晶体光纤耦合器的输出端获得空心光束。
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公开(公告)号：CN102092937A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010590664.X
申请日：2010-12-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种迅速优化光子晶体光纤拉制工艺的方法。该方法在光子晶体光纤拉制过程中包括以下步骤：截断拉成且未涂覆的裸光纤，采集拉制得到的裸光纤的横截面图像；对裸光纤横截面图像进行边缘检测，并重构裸光纤横截面几何结构；根据所述重构的裸光纤横截面几何结构，对裸光纤横截面内区域进行网格划分；使用数值模拟方法分析裸光纤的光子晶体光纤特性；将裸光纤的分析特性与光子晶体光纤的设计特性进行比较，得到比较结果；根据比较结果，调整光子晶体光纤拉制工艺参数；重复上述步骤直至所拉制裸光纤的分析特性与其设计特性的差异可忽略不计，得到一组拉制该光子晶体光纤的优化工艺参数。
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公开(公告)号：CN101819326A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010149343.6
申请日：2010-04-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种用于形成空心光束的光子晶体光纤耦合器及其制备方法。根据本发明的光子晶体光纤耦合器，包括：其一端作为光子晶体光纤耦合器输入端的单模光纤；其一端作为光子晶体光纤耦合器输出端的环芯光子晶体光纤；其特征在于：该光子晶体光纤耦合器进一步包括环芯光子晶体光纤的另一端与单模光纤另一端的熔接接合区，以便在光子晶体光纤耦合器的输入端接收输入光时在光子晶体光纤耦合器的输出端获得空心光束。
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公开(公告)号：CN101907495B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010231143.5
申请日：2010-07-14
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 含有长周期光纤光栅萨格奈克环的光纤光栅波长解调系统，属于光纤传感器领域。该解调系统的光源为光纤Bragg光栅(4)与含有长周期光纤光栅的萨格奈克环(8)作为腔镜构成线腔型光纤激光器。长周期光纤光栅(7)的一端与2×2耦合器的第三端口(63)连接，长周期光纤光栅的另一端和2×2耦合器的第四端口(64)连接，形成含有长周期光纤光栅的萨格奈克环。光纤Bragg光栅的一端通过掺铒光纤(5)与2×2耦合器的第一端口(61)连接。光纤Bragg光栅的另一端与波分复用器的第三端口(33)连接，波分复用器的第二端口(32)与泵浦光源(2)连接，波分复用器的第一端口(31)与信号处理系统(1)连接。解决了信噪比、测量精度低，易受环境干扰的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101907495A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010231143.5
申请日：2010-07-14
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 含有长周期光纤光栅萨格奈克环的光纤光栅波长解调系统，属于光纤传感器领域。该解调系统的光源为光纤Bragg光栅(4)与含有长周期光纤光栅的萨格奈克环(8)作为腔镜构成线腔型光纤激光器。长周期光纤光栅(7)的一端与2×2耦合器的第三端口(63)连接，长周期光纤光栅的另一端和2×2耦合器的第四端口(64)连接，形成含有长周期光纤光栅的萨格奈克环。光纤Bragg光栅的一端通过掺铒光纤(5)与2×2耦合器的第一端口(61)连接。光纤Bragg光栅的另一端与波分复用器的第三端口(33)连接，波分复用器的第二端口(32)与泵浦光源(2)连接，波分复用器的第一端口(31)与信号处理系统(1)连接。解决了信噪比、测量精度低，易受环境干扰的缺陷。
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公开(公告)号：CN102253445B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110196811.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法，属于特种光纤领域，特别涉及单晶光纤的包层结构设计。提出一种具有阶跃折射率包层的单晶光纤，并介绍了其制备方法。该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的，两种不同折射率的材料层(2、3)沿径向交替分布构成的布拉格结构包层，两种材料层各10～20层。该光纤制备方法的特点是使用MCVD法交替沉积两种不同折射率材料，形成高、低折射率层沿径向交替分布的结构。通过加热拉伸，使交替分布结构缩小，最终裹住单晶纤芯，形成布拉格结构包层。该光纤具有阶跃折射率包层，对光的束缚能力强，损耗小。使用该方法可以为不同材料单晶光纤制备阶跃折射率包层，扩展了各种不同材料单晶光纤的应用。
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公开(公告)号：CN102298170B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110241812.1
申请日：2011-08-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了属于特种光纤领域的一种微结构包层单晶光纤及制备方法。一种微结构包层单晶光纤，其特征在于，它由纤芯和微结构包层组成，微结构包层围绕在纤芯周围；本发明采用管束堆积、加热拉伸等步骤来制备微结构包层单晶光纤。本发明的有益效果为：1)可以通过改变材料，控制单晶光纤对光束的高阶模式的抑制能力。2)应用广泛，可以为不同材料单晶纤芯制作包层。3)制作时间短，成品率高。
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公开(公告)号：CN102092937B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010590664.X
申请日：2010-12-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种迅速优化光子晶体光纤拉制工艺的方法。该方法在光子晶体光纤拉制过程中包括以下步骤：截断拉成且未涂覆的裸光纤，采集拉制得到的裸光纤的横截面图像；对裸光纤横截面图像进行边缘检测，并重构裸光纤横截面几何结构；根据所述重构的裸光纤横截面几何结构，对裸光纤横截面内区域进行网格划分；使用数值模拟方法分析裸光纤的光子晶体光纤特性；将裸光纤的分析特性与光子晶体光纤的设计特性进行比较，得到比较结果；根据比较结果，调整光子晶体光纤拉制工艺参数；重复上述步骤直至所拉制裸光纤的分析特性与其设计特性的差异可忽略不计，得到一组拉制该光子晶体光纤的优化工艺参数。
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公开(公告)号：CN102298170A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110241812.1
申请日：2011-08-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了属于特种光纤领域的一种微结构包层单晶光纤及制备方法。一种微结构包层单晶光纤，其特征在于，它由纤芯和微结构包层组成，微结构包层围绕在纤芯周围；本发明采用管束堆积、加热拉伸等步骤来制备微结构包层单晶光纤。本发明的有益效果为：1)可以通过改变材料，控制单晶光纤对光束的高阶模式的抑制能力。2)应用广泛，可以为不同材料单晶纤芯制作包层。3)制作时间短，成品率高。
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