公开(公告)号：CN118822511A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411302746.8

申请日：2024-09-19

申请人： 北京中科重仪半导体科技有限公司

发明人： 罗敏杰 ,  陈浩 ,  朱虹

IPC分类号： G06Q10/20 ,  G06Q50/04 ,  G06F30/27 ,  G06F3/01 ,  G06N3/092 ,  C23C16/00 ,  G06F111/18

摘要： 本申请公开了一种基于数字孪生和虚拟现实的MOCVD模拟系统、方法和设备，属于数字孪生和虚拟现实技术领域。该系统主要包括：利用耐高温传感器采集MOCVD设备的腔体的实时数据，并利用实时数据建立MOCVD设备的腔体的数字孪生模型；利用数字孪生模型搭建虚拟现实环境，其中，虚拟现实环境包括三维模型和高温环境下的物理现象；通过分析用户在虚拟现实环境中的行为和MOCVD设备的历史数据，预测MOCVD设备的运行趋势和潜在故障，并确定相应的解决方案。本申请通过将数字孪生和虚拟现实技术整合，并应用于MOCVD设备的检修与维护领域，提高了检修与维护的效率和准确性。

公开(公告)号：CN118800795A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411288697.7

申请日：2024-09-14

申请人： 北京中科重仪半导体科技有限公司

发明人： 朱虹 ,  管昌雨 ,  陈浩

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

摘要： 本申请公开了一种具有双沟道的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件主要包括：衬底层；缓冲层；P型氮化镓背势垒层，其通过在缓冲层中刻蚀形成第一沟槽，并在所述第一沟槽中淀积氮化镓，以及在氮化镓的淀积后再次淀积缓冲层的材料，使得第一沟槽与所述衬底层表面平齐，从而形成P型氮化镓背势垒，或者通过在缓冲层之上的预定区域上淀积预定厚度的氮化镓形成P型氮化镓背势垒；第一沟道层；第一势垒层；第二沟道层；第二势垒层；钝化层；源极；栅极；漏极。本申请更易得到高耐压的增强型HEMT器件。