公开(公告)号：CN116803218A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280013175.9

申请日：2022-03-15

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 梅村优树 ,  高田健央 ,  石井智之

IPC: H05K1/16

Abstract: 为了提供在玻璃基板形成高精度的MIM电容器的配线基板的制造方法以及配线基板，配线基板的制造方法具有：工序A，从玻璃基板的第一面朝向另一面照射激光而形成激光改性部；工序B，在所述玻璃基板的所述第一面形成MIM电容器；工序C，在所述第一面的相反侧的面实施蚀刻处理，由此在所述激光改性部形成贯通孔，并且形成与所述玻璃基板的第一面相对的第二面；以及工序D，在所述贯通孔形成贯通电极，在所述第二面形成经由所述贯通电极而与所述第一面配线层连接的第二面配线层。

公开(公告)号：CN116982417A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280020954.1

申请日：2022-03-25

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 石井智之 ,  高田健央 ,  梅村优树

IPC: H05K3/40

Abstract: 提供能够确保玻璃基板的传输特性和电气特性，并且能够简便且廉价地制造的布线基板制造方法以及布线基板。布线基板的制造方法具有：从玻璃基板的一个面向另一个面照射激光光以形成激光改性部的工序A；在所述玻璃基板的第一面上形成包含耐氢氟酸金属膜和铜层的第一面布线层的工序B；通过对与所述第一面相反一侧的面进行蚀刻，从而在所述激光改性部中形成贯通孔，并且形成所述玻璃基板的与第一面相对的第二面的工序C；除去附着在所述耐氢氟酸金属膜上的玻璃的蚀刻残留物的贯通孔处理工序D；以及在所述贯通孔中形成贯通电极的工序E。

公开(公告)号：CN116210352A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180065590.4

申请日：2021-09-16

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 高田健央 ,  梅村优树

IPC: H05K1/09

Abstract: 为了得到翘曲少、小型、连接可靠性高的高频模块，提供一种布线基板，具有：玻璃制的芯材，其具备第1面、与所述第1面相对的第2面、以及从所述第1面贯通至所述第2面的贯通穴；第1密合层，其以与所述第1面和所述贯通穴的内壁密合、并且进一步堵塞所述贯通穴的所述第2面侧的底部的方式形成；第2密合层，其与所述第2面和堵塞所述贯通穴的所述第2面侧的底部的第1密合层密合；第1布线层，其层叠在所述第1密合层上；以及第2布线层，其层叠在所述第2密合层上，在将所述第1布线层的总面积设为A、将所述第1布线层中铜所占的面积设为B的情况下，所述第1布线层的残铜率C由C＝B/A(％)表示，C＝70～100％，所述第1密合层的材料的杨氏模量为所述第1布线层的材料的杨氏模量的0.1～0.85倍。

公开(公告)号：CN113439331A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202080007990.5

申请日：2020-01-16

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 梅村优树 ,  小林茜

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H01L23/14 ,  H05K1/03

Abstract: 提供一种能抑制产生芯基板的破裂而可靠性较高的封装用基板。封装用基板(100)具有：由脆性材料形成的芯基板(11)；在芯基板(11)的单面上或两面上形成的1个或多个绝缘层(21)；以及在绝缘层(21)上和/或绝缘层(21)内形成的1个或多个配线层(31)，芯基板(11)在比绝缘层(21)的外周部分更靠外侧的位置露出，绝缘层(21)被进行了倒角。