公开(公告)号：CN103987674A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280040499.8

申请日：2012-08-20

Applicant: 冯·阿德纳有限公司

Inventor： 哈拉尔德·格罗斯 ,  乌多·维尔科芒

IPC: C03C17/36 ,  C03C23/00

CPC classification number: E04B1/78 ,  C03C17/06 ,  C03C17/36 ,  C03C17/366 ,  C03C23/001 ,  C03C23/0015 ,  C03C23/0025 ,  C03C2218/32 ,  C23C14/14 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明涉及一种用于产生低发射率层系统的方法，包括以下步骤：利用沉积，在基板的至少一侧上形成至少一个低发射率层；并且随后利用电磁辐射来对沉积低发射率层进行短暂回火，避免对基板进行直接加热，并且本发明还涉及一种用于执行该方法的装置，其解决了改进低发射率层系统的光学和热特性的问题，而没有对整个基板进行高成本的回火，同时维持低e涂覆的基板的可加工性。