公开(公告)号：CN113544822A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019469.3

申请日：2020-03-06

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  持田耕平 ,  吉田勇喜

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明以提供在3D非易失性存储器单元的制造中，以相对于SiO2的实用性的蚀刻选择比对Si3N4进行选择性蚀刻后，可抑制SiO2再生长，且能够抑制SiO2膜的图案坍塌的氮化硅蚀刻液组合物为课题。一种用于制造3D非易失性存储器单元的氮化硅蚀刻液组合物，其中，包含磷酸、1种或2种以上的硅烷偶联剂和水，不含铵离子。

公开(公告)号：CN118435329A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202380015445.4

申请日：2023-05-11

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  吉田勇喜 ,  持田耕平 ,  仓本蕗人

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 本发明的课题在于提供一种于自3D非挥发性记忆单元等的制造为首的，以对于氧化硅的实用的蚀刻比率对氮化硅进行选择性蚀刻的步骤中，能够抑制氧化硅的再生长，并且不产生脱离醇的氮化硅蚀刻液组成物。本发明解决问题的技术手段为一种用于3D非挥发性记忆单元等的制造氮化硅蚀刻液组成物，包含磷酸、一种或二种以上的水溶性硅化物的水解物及水。