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公开(公告)号：CN118435329A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202380015445.4
申请日：2023-05-11
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 本发明的课题在于提供一种于自3D非挥发性记忆单元等的制造为首的，以对于氧化硅的实用的蚀刻比率对氮化硅进行选择性蚀刻的步骤中，能够抑制氧化硅的再生长，并且不产生脱离醇的氮化硅蚀刻液组成物。本发明解决问题的技术手段为一种用于3D非挥发性记忆单元等的制造氮化硅蚀刻液组成物，包含磷酸、一种或二种以上的水溶性硅化物的水解物及水。
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