一种碳基复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111074226B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010084685.8

    申请日:2020-02-10

    Abstract: 本发明提供了一种碳基复合薄膜及其制备方法,属于表面工程领域。本发明以碳靶和金属碳化物靶为溅射靶材,基于闭合场非平衡磁控溅射等离子体空间分布特点及样品转架转速对薄膜结构的影响规律,仅通过样品转架旋转“快‑慢”的周期性控制,在沉积过程中自发形成兼具纳米层结构和纳米复合结构的双结构的碳基复合薄膜,碳靶和金属碳化物靶在真空腔体中相对放置,当转架转速快时,沉积出具有纳米复合结构的复合薄膜,当转架转速慢时,沉积出具有纳米多层结构复合薄膜,通过转架转速的调节可实现纳米复合结构中纳米晶的尺寸和纳米多层结构中的调制周期,通过控制样品转架转速周期性调节的时间可实现纳米复合结构层和纳米多层结构层的厚度。

    一种织构化类金刚石碳基薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111139430B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010052653.X

    申请日:2020-01-17

    Abstract: 本发明提供了一种织构化类金刚石碳基薄膜及其制备方法,属于表面工程领域。本发明提供一种利用金属网筛栅遮挡金属基体表面的方法,简单便捷地原位制备织构化DLC薄膜,金属基底表面的金属网筛并非与基底紧密贴合,而是与基底留有一定间隙,且间隙尺寸严格控制,利用此间隙实现沉积空间等离子体密度的重新分布,使金属网栅遮挡区域与基体间隙处的等离子体密度增加,从而提高此区域的沉积速率,而未遮挡区域沉积速率不变,导致遮挡区域薄膜厚度大于未遮挡区域,从而在薄膜沉积过程中原位形成织构化表层,薄膜本身连续完整,不存在未覆盖区域,且织构坑形状、密度和深度均可通过沉积工艺的调控实现可控调节。

    一种织构化类金刚石碳基薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111139430A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN202010052653.X

    申请日:2020-01-17

    Abstract: 本发明提供了一种织构化类金刚石碳基薄膜及其制备方法,属于表面工程领域。本发明提供一种利用金属网筛栅遮挡金属基体表面的方法,简单便捷地原位制备织构化DLC薄膜,金属基底表面的金属网筛并非与基底紧密贴合,而是与基底留有一定间隙,且间隙尺寸严格控制,利用此间隙实现沉积空间等离子体密度的重新分布,使金属网栅遮挡区域与基体间隙处的等离子体密度增加,从而提高此区域的沉积速率,而未遮挡区域沉积速率不变,导致遮挡区域薄膜厚度大于未遮挡区域,从而在薄膜沉积过程中原位形成织构化表层,薄膜本身连续完整,不存在未覆盖区域,且织构坑形状、密度和深度均可通过沉积工艺的调控实现可控调节。

    一种碳基复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111074226A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN202010084685.8

    申请日:2020-02-10

    Abstract: 本发明提供了一种碳基复合薄膜及其制备方法,属于表面工程领域。本发明以碳靶和金属碳化物靶为溅射靶材,基于闭合场非平衡磁控溅射等离子体空间分布特点及样品转架转速对薄膜结构的影响规律,仅通过样品转架旋转“快-慢”的周期性控制,在沉积过程中自发形成兼具纳米层结构和纳米复合结构的双结构的碳基复合薄膜,碳靶和金属碳化物靶在真空腔体中相对放置,当转架转速快时,沉积出具有纳米复合结构的复合薄膜,当转架转速慢时,沉积出具有纳米多层结构复合薄膜,通过转架转速的调节可实现纳米复合结构中纳米晶的尺寸和纳米多层结构中的调制周期,通过控制样品转架转速周期性调节的时间可实现纳米复合结构层和纳米多层结构层的厚度。

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