一种冷阴极潘宁离子源
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106057614B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201610658654.2

    申请日:2016-08-12

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: H01J27/04

    摘要: 本发明公开了一种冷阴极潘宁离子源,该冷阴极潘宁离子源阳极采用隐藏式固定结构,对阴极靠近放电室的表面采用凹形结构,阴极引出采用上下圆锥形结构;阳极上的电压通过阳极接线柱馈入,阴极板、中间电极外套、连接法兰、对阴极焊接法兰均接地,并通过陶瓷法兰和绝缘法兰保持与阳极的绝缘。本发明提高引出束流强度的同时,大大延长了离子源的使用寿命,降低了使用成本。可以引出1~5 mA的D束流,使用寿命大于500小时;所有部件均采用可拆卸式结构,可方便更换易损部件的同时,给其参数的优化留下了很大的空间,提高了整体的经济效益。

    一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源

    公开(公告)号:CN114899067A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210292012.0

    申请日:2022-03-24

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: H01J27/18 H01Q1/22

    摘要: 本发明公开了一种八极永磁体结构天线内置式RF离子源,属于离子源技术领域,有效解决了现有天线外置式RF离子源存在功率利用效率低和高频电磁辐射信号对紧凑型中子发生器电源及控制系统干扰的问题,包括放电腔体,所述放电腔体外侧壁上通过磁场线包支架设置有馈入端磁场线包、八极永磁体和引出端磁场线包,放电腔体的尾端可拆卸安装有束流引出端封装组件,其有益效果在于:通过采用前后端磁场线包和八极永磁体耦合的方式,产生的耦合磁场可形成有效地约束磁场,减小了离子源放电腔内高密度等离子体对离子源放电腔体的轰击概率,延长了离子源的使用寿命,同时通过利用束流引出端封装组件实现引出端的可拆卸安装,便于RF内置天线的安装更换。

    基于紧凑型D-D中子源的热中子透射成像方法及成像装置

    公开(公告)号:CN111982940A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN202010815745.9

    申请日:2020-08-14

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: G01N23/05 G01N23/09

    摘要: 本发明公开了一种基于紧凑型D-D中子源的热中子透射成像方法及成像装置,采用紧凑型D-D中子源提供外源中子,经中子慢化体将型D-D中子源输出的2.45MeV的D-D快中子慢化为热中子或超热中子,慢化后进入D-D中子源上方中子慢化体中竖直设置的上大下小的锥形中子准直孔道内,经准直的热中子束透射被检测物体,透射穿过物体的热中子通过锥形中子准直孔道上端安装的热中子像探测器系统探测,经热中子像探测器系统转变为数字化的透射图像,得到热中子透射强度二维空间分布,进而获得被检测物体的内部结构及不同材料的空间分布情况。本发明具有可移动式、快速、准确、无损、良好空间分辨性的特点,可用于物体的无损检测。

    离子加速器用紧凑型一体化供电装置

    公开(公告)号:CN109842303A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201910048606.5

    申请日:2019-01-18

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: H02M5/10

    摘要: 本发明公开了一种离子加速器用紧凑型一体化供电装置,包括壳体和底座,壳体上设有高压输出接口和隔离供电输出接口,底座上设有真空抽气口、注油口、高压输入接口及隔离供电输入接口;壳体中设有高压电源电路、隔离供电电路、高压测量电路及均压电路;高压电源电路包括高压升压变压器、高压倍压电路和高压保护电路;隔离供电电路包括隔离变压器系统和隔离供电采样电路;高压测量电路包括测量电阻和滤波电容;均压电路包括均压电阻;隔离变压器系统与高压升压变压器的输入电压通过设置微处理器进行调节。本发明的高压升压电路和隔离变压电路共用一套均压系统,保证了隔离变压器和高压升压电路各级能够处于同一电位,改善均压效果,简化均压装置。

    一种一体化小型氘氘中子发生器

    公开(公告)号:CN109831868A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910114085.9

    申请日:2019-02-14

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: H05H3/06 H05H6/00 G21G4/02

    摘要: 本发明公开了一种一体化小型氘氘中子发生器,该发生器的圆筒状陶瓷外壳内设置半球状金属头部,金属头部内设置离子源和离子源电源;金属头部的金属板与发生器底板之间设置内外两层陶瓷绝缘筒,两层陶瓷绝缘筒之间设置隔离供电系统和高压电源,内陶瓷绝缘筒内设置的引出加速电极的后端伸出发生器后与底板外设置的靶托连接,靶托内设置靶,靶位于地电位,靶托设冷却水接口。本发明中靶处于地电位,可以利用0度方向出射的氘氘快中子,降低样品和靶点的距离,提高样品面上的中子通量,冷却系统简单;且高压输出端直接与中子发生器连接,不需要对中子发生器进行馈电,提高了氘束流的能量,进一步提高了中子发生器的中子产额,一体化程度高,移动方便。

    一种内置天线式高频离子源装置

    公开(公告)号:CN109216151B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN201810932686.6

    申请日:2018-08-16

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: H01J49/10 H01Q1/26 H01Q1/36

    摘要: 本发明提供一种内置天线式高频离子源装置。该装置包括进气端子、天线、磁场线包、磁体、引出件、第一导磁固定板、第二导磁固定板、第三固定板、放电腔;其中,该进气端子连接第三固定板上,该天线套在第三固定板上,且放置在放电腔内;该放电腔的前端套设有第一导磁固定板;该第一导磁固定板和第二导磁固定板的相应位置镶嵌有磁体;贴着该第一导磁固定板缠绕磁性线包;该磁性线包的另一侧设置第二导磁固定板,该第二导磁固定板内设有引出件。本发明装置克服了高频信号对电源和控制系统的干扰,并保证较高单原子离子比。

    一种紧凑型负高压直流电源

    公开(公告)号:CN112821786B

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202110153318.3

    申请日:2021-02-04

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: H02M7/10 H02M1/32

    摘要: 本发明提供了一种紧凑型负高压直流电源,涉及高压电源技术领域。该装置包括接地外壳体及接地外壳体内设置的C‑W倍压塔、中频变压器、高压测量端、高压引出端,接地外壳体顶部可拆卸的安装有顶盖,顶盖上设有中频输入端子,中频输入端子、中频变压器、C‑W倍压塔、高压引出端依次电连接,C‑W倍压塔与高压测量端电连接。本发明确保了实现电源结构紧凑的同时,避免出现不因有限空间局部电场过强而打火放电等电源不稳定因素;结构简单明了,可实现模块化制作;采用中频变压器有效减小了变压器体积,可实现负高压在零负到负180千伏范围内调节,调节范围宽,应用范围广。

    一种紧凑型负高压直流电源

    公开(公告)号:CN112821786A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202110153318.3

    申请日:2021-02-04

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: H02M7/10 H02M1/32

    摘要: 本发明提供了一种紧凑型负高压直流电源,涉及高压电源技术领域。该装置包括接地外壳体及接地外壳体内设置的C‑W倍压塔、中频变压器、高压测量端、高压引出端,接地外壳体顶部可拆卸的安装有顶盖,顶盖上设有中频输入端子,中频输入端子、中频变压器、C‑W倍压塔、高压引出端依次电连接,C‑W倍压塔与高压测量端电连接。本发明确保了实现电源结构紧凑的同时,避免出现不因有限空间局部电场过强而打火放电等电源不稳定因素;结构简单明了,可实现模块化制作;采用中频变压器有效减小了变压器体积,可实现负高压在零负到负180千伏范围内调节,调节范围宽,应用范围广。

    一种一体化小型氘氘中子发生器

    公开(公告)号:CN109831868B

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201910114085.9

    申请日:2019-02-14

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: H05H3/06 H05H6/00 G21G4/02

    摘要: 本发明公开了一种一体化小型氘氘中子发生器,该发生器的圆筒状陶瓷外壳内设置半球状金属头部,金属头部内设置离子源和离子源电源;金属头部的金属板与发生器底板之间设置内外两层陶瓷绝缘筒,两层陶瓷绝缘筒之间设置隔离供电系统和高压电源,内陶瓷绝缘筒内设置的引出加速电极的后端伸出发生器后与底板外设置的靶托连接,靶托内设置靶,靶位于地电位,靶托设冷却水接口。本发明中靶处于地电位,可以利用0度方向出射的氘氘快中子,降低样品和靶点的距离,提高样品面上的中子通量,冷却系统简单;且高压输出端直接与中子发生器连接,不需要对中子发生器进行馈电,提高了氘束流的能量,进一步提高了中子发生器的中子产额,一体化程度高,移动方便。

    一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置

    公开(公告)号:CN110044940A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910208952.5

    申请日:2019-03-19

    申请人: 兰州大学

    IPC分类号: G01N23/22

    摘要: 本发明公开了一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置,包括中子发生器、3He粒子位置探测器、γ能谱探测器和数据处理系统,中子发生器包括氘离子源、引出电极和氘靶;3He粒子位置探测器包括探测头和第一数据获取处理系统,探测头设置于发生器外壳中,探测头与氘靶之间设置有粒子透射窗;γ能谱探测器包括γ射线探头和第二数据获取处理系统,γ射线探头与氘靶之间放置样品,第一数据获取处理系统和第二数据获取处理系统均与数据处理系统电性连接。本发明采用氘靶,氘氘反应产生快中子和伴随3He粒子,通过伴随3He粒子成像可获得被检测样品的元素成分和分布信息,且氘靶无放射性,制备简单,便于运输,价格低廉,大大降低了伴随粒子成像设备的运行和维护成本。