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公开(公告)号：CN110749956B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201911064559.X
申请日：2019-11-04
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供了一种兼容波分复用的可重构光模式转换器，包括相连接的多环级联件和模式转换器；多环级联件由一根直波导、一个无源微环和n‑1个可调微环谐振器构成，其中n为大于等于2的正整数。该光模式转换器将多环级联应用于模式转换器中，通过改变各个可调谐微环谐振器的谐振状态，使得有源微环中的光被等分为x份，并通过谐振的微环谐振器下载到相应的波导中，通过模式转换器可以实现基模同时向任意多种高阶模式的转换，即同时产生多个模式，从而解决光通信系统中需要的激光器数目过多的问题。本发明具有良好的可扩展性，能与波分复用相结合，从而提高光通信系统的灵活性。
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公开(公告)号：CN110265510A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910622121.2
申请日：2019-07-10
Applicant: 兰州大学 , 江苏明芯微电子股份有限公司
IPC: H01L31/111 , H01L31/0288 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种深结雪崩倍增光控晶闸管及其触发控制系统，其中深结雪崩倍增光控晶闸管包括光控晶闸管芯片，所述光控晶闸管芯片包括晶闸管和光触发信号的LED装置，其中所述晶闸管阴极结构包括非欧姆接触型的光生载流子半导体区域和欧姆接触的电流收集区域，所述光控晶闸管芯片还包括设置于结J2处的雪崩倍增区域，通过改变结J2处的浓度差将雪崩倍增机制引入到光控晶闸管内，可自由控制晶闸管的导通与关断，不仅发明了一种新型的导通方式，而且开创了光控晶闸管的全新工作原理及使用方式。
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公开(公告)号：CN110265510B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910622121.2
申请日：2019-07-10
Applicant: 兰州大学 , 江苏明芯微电子股份有限公司
IPC: H01L31/111 , H01L31/0288 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种深结雪崩倍增光控晶闸管及其触发控制系统，其中深结雪崩倍增光控晶闸管包括光控晶闸管芯片，所述光控晶闸管芯片包括晶闸管和光触发信号的LED装置，其中所述晶闸管阴极结构包括非欧姆接触型的光生载流子半导体区域和欧姆接触的电流收集区域，所述光控晶闸管芯片还包括设置于结J2处的雪崩倍增区域，通过改变结J2处的浓度差将雪崩倍增机制引入到光控晶闸管内，可自由控制晶闸管的导通与关断，不仅发明了一种新型的导通方式，而且开创了光控晶闸管的全新工作原理及使用方式。
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公开(公告)号：CN112859240A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110232333.7
申请日：2021-03-03
Applicant: 兰州大学
IPC: G02B6/14
Abstract: 本发明公开了一种基于马赫增德尔干涉仪的可重构模式转换器，包括相连接的三阶模式解复用器和三阶模式复用器，三阶模式解复用器和三阶模式复用器均与马赫增德尔干涉仪开关组相连；解复用器用于多模波导的解复用，马赫增德尔开关用于控制模式输出，复用器用于将马赫增德尔开关中的模式复用到多模波导中。该可重构模式转换器为光通信中模式复用技术所遇到的不同模式之间灵活转换的提供了方案，有效解决了光信息网络规模日益增大的所带来器件面积高效利用问题。本器件可高度集成，结构紧凑，可重构性良好，能够在光互联网络应用中发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN112859240B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110232333.7
申请日：2021-03-03
Applicant: 兰州大学
IPC: G02B6/14
Abstract: 本发明公开了一种基于马赫增德尔干涉仪的可重构模式转换器，包括相连接的三阶模式解复用器和三阶模式复用器，三阶模式解复用器和三阶模式复用器均与马赫增德尔干涉仪开关组相连；解复用器用于多模波导的解复用，马赫增德尔开关用于控制模式输出，复用器用于将马赫增德尔开关中的模式复用到多模波导中。该可重构模式转换器为光通信中模式复用技术所遇到的不同模式之间灵活转换的提供了方案，有效解决了光信息网络规模日益增大的所带来器件面积高效利用问题。本器件可高度集成，结构紧凑，可重构性良好，能够在光互联网络应用中发挥重要的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110749956A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911064559.X
申请日：2019-11-04
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供了一种兼容波分复用的可重构光模式转换器，包括相连接的多环级联件和模式转换器；多环级联件由一根直波导、一个无源微环和n-1个可调微环谐振器构成，其中n为大于等于2的正整数。该光模式转换器将多环级联应用于模式转换器中，通过改变各个可调谐微环谐振器的谐振状态，使得有源微环中的光被等分为x份，并通过谐振的微环谐振器下载到相应的波导中，通过模式转换器可以实现基模同时向任意多种高阶模式的转换，即同时产生多个模式，从而解决光通信系统中需要的激光器数目过多的问题。本发明具有良好的可扩展性，能与波分复用相结合，从而提高光通信系统的灵活性。
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公开(公告)号：CN110233175A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910622357.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 兰州大学 , 江苏明芯微电子股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明涉及一种光控晶闸管及其触发控制系统，其中的光控晶闸管既存在阴极短路点，也存在连接在一起的阴极n+区域，在提高器件dv/dt特性的同时，也不会使器件的α2值减少。因此，当α1与α2之和无限趋近于1，且α2没有减少的情况下，使得器件在适合硅吸收的光波长照射下，接受足够的光照强度，完成导通。本发明的光控晶闸管不仅具备高电压、大电流，而且能够快速导通。此外，本发明的光控晶闸管触发控制系统具有体积小的优点。
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公开(公告)号：CN209981221U
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201921074953.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 兰州大学 , 江苏明芯微电子股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型涉及一种光控晶闸管，其中的光控晶闸管既存在阴极短路点，也存在连接在一起的阴极n+区域，在提高器件dv/dt特性的同时，也不会使器件的α2值减少。因此，当α1与α2之和无限趋近于1，且α2没有减少的情况下，使得器件在适合硅吸收的光波长照射下，接受足够的光照强度，完成导通。本实用新型的光控晶闸管不仅具备高电压、大电流，而且能够快速导通。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210040234U
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201921074963.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 兰州大学 , 江苏明芯微电子股份有限公司
IPC: H01L31/111 , H01L31/0288 , H01L31/0224
Abstract: 本实用新型涉及一种深结雪崩倍增光控晶闸管，其中深结雪崩倍增光控晶闸管包括光控晶闸管芯片，所述光控晶闸管芯片包括晶闸管和光触发信号的LED装置，其中所述晶闸管阴极结构包括非欧姆接触型的光生载流子半导体区域和欧姆接触的电流收集区域，所述光控晶闸管芯片还包括设置于结J2处的雪崩倍增区域，通过改变结J2处的浓度差将雪崩倍增机制引入到光控晶闸管内，可自由控制晶闸管的导通与关断，不仅实用新型了一种新型的导通方式，而且开创了光控晶闸管的全新工作原理及使用方式。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210006736U
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201921075523.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 兰州大学 , 江苏明芯微电子股份有限公司
IPC: H01L25/16
Abstract: 本实用新型涉及一种包含光控晶闸管的半导体器件，包括LED激光发射器和光敏晶闸管，且所述LED激光发射器和光敏晶闸管封装在所述半导体器件内；所述LED激光发射器通过外部信号激励发射激光信号，所述光敏晶闸管为没有栅极但对光信号敏感的大功率晶闸管，通过所述LED激光发射器直接驱动所述大功率光敏晶闸管，从而使得所述半导体器件的功耗大大降低，而且工作速度进一步提升，版图设计更加简化。
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